[发明专利]半导体基底及其制造方法

说明书

本申请要求于2008年2月26日在韩国知识产权局提交的第 10-2008-0017419号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的内容全部包 含于此。

技术领域

示例实施例提供了半导体基底和制造半导体基底的方法。其它示例实施 例涉及包括浮置主体(floating body)的半导体基底和制造半导体基底的方法。

背景技术

通常，可以使用不包括电容器而利用一个晶体管的1-T动态随机存取存 储器(DRAM)。可以利用相当简单的制造工艺来制造1-T DRAM。1-T DRAM 可以具有提高的感测容限(sensing margin)。

如果在绝缘体上硅(SOI)晶片上实现1-T DRAM，那么制造成本由于 SOI晶片而增加。通常，以嵌入形式制造1-T DRAM。

发明内容

示例实施例提供了半导体基底和制造半导体基底的方法。其它示例实施 例涉及包括浮置主体的半导体基底和制造半导体基底的方法。

示例实施例提供了一种制造半导体器件的方法，其中，使用选择性蚀刻 技术实现浮置主体区域，所述浮置主体区域由与基底区域相同的材料形成。

根据示例实施例，提供了一种半导体基底，所述半导体基底包括：基底 区域；绝缘区域，绝缘区域形成在基底区域上；浮置主体区域，通过绝缘区 域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上，其中，基底区域和浮置主体区域 由具有相同特性的材料形成。可以由体半导体基底形成基底区域。

根据示例实施例，提供了一种制造半导体基底的方法，所述方法包括以 下步骤：通过蚀刻体基底形成至少一个浮置主体图案；通过蚀刻浮置主体图 案的中间部分，将体基底分离(或限定)成基底区域和浮置主体区域；在浮 置主体区域和基底区域之间填充绝缘材料。

在通过蚀刻浮置主体图案的中间部分将体基底分离成基底区域和浮置主 体区域的步骤中，可以使用选择性湿式蚀刻方法或选择性干式蚀刻方法蚀刻 浮置主体图案的中间部分。

通过蚀刻体基底形成至少一个浮置主体图案的步骤可以包括：沿第一方 向即主轴方向蚀刻体基底，从而形成沿第一方向延伸的浮置主体线图案；用 绝缘材料填充浮置主体线图案的侧面；沿与浮置主体线图案延伸的第一方向 垂直的第二方向蚀刻浮置主体线图案和绝缘层，从而形成沿第二方向延伸的 至少一个浮置主体图案。

通过蚀刻浮置主体图案的中间部分将体基底分离成基底区域和浮置主体 区域的步骤可以包括：在浮置主体图案的侧壁上形成钝化层；通过设置在浮 置主体图案的侧面上的未形成钝化层的底表面来蚀刻浮置主体图案的中间部 分。

通过蚀刻体基底形成至少一个浮置主体图案的步骤可以包括：沿第一方 向蚀刻体基底，从而形成沿第一方向彼此平行延伸的多个浮置主体线图案； 在浮置主体线图案之间填充绝缘层；沿与浮置主体线图案延伸的第一方向垂 直的第二方向蚀刻体基底，从而形成沿第二方向彼此平行延伸的多个浮置主 体图案。

通过蚀刻浮置主体图案的中间部分将体基底分离成基底区域和浮置主体 区域的步骤可以包括：在浮置主体图案的侧壁上形成钝化层；通过未形成钝 化层(该钝化层设置在浮置主体图案之间)的底表面来蚀刻浮置主体图案的 中间部分。

附图说明

通过结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解示例实施例。图1 至图12F表示在此所描述的非限制性的示例实施例。

图1是根据示例实施例的半导体基底的透视图；

图2示出了图1的半导体基底中的基底区域和主体区域；

图3示出了在图2的基底区域和主体区域之间填充的氧化物区域；

图4示出了根据示例实施例的半导体基底；

图5示出了根据示例实施例的半导体基底；

图6A至图6G是示出根据示例实施例的制造半导体基底的方法的透视 图；

图7示出了根据示例实施例的在半导体基底400中形成的字线图案；

图8A至图8G是示出根据示例实施例的制造半导体基底的方法的透视 图；

图9是根据示例实施例的基底区域和主体区域；

图10示出了图9的半导体基底中的基底区域和主体区域；

图11示出了在图10的基底区域和主体区域之间填充的绝缘区域；

图12A至图12F是示出制造图9中的半导体基底的方法的透视图。