[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法有效
申请号: | 200880014836.X | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101675539A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 卡尔·恩格尔;卢茨·赫佩尔;克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·魏玛 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 萍;陈 炜 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体芯片(1),其具有半导体本体(2),该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列。在半导体本体(2)上设置有反射结构(3),反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构(5)。此外,提出了一种用于制造半导体芯片的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片(1),其具有半导体本体(2),该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列,其中在半导体本体(2)上设置有反射结构(3),该反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层(4)和半导体本体(2)之间的介电层结构(5)。
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- 发光器件(LED)被制造在具有提供对每个LED的结构支承的一个或多个厚金属层的晶圆基板上。在个体LED之间的芯片间隔或小道不包括这个金属,且晶圆可容易被切片/切割成分割的自支承LED。因为这些器件是自支承的,单独的支承底座是不要求的。在分割之前,可在晶圆级应用另外的工艺;在分割之后,这些自支承LED可被拾取并放置在中间基板上用于如所要求的进一步处理。在本发明的实施例中,在晶圆级处或当发光器件位于中间基板上时在发光器件之上形成保护性光学圆顶。
- 用于制造半导体层序列的方法和光电子半导体器件-201580010404.1
- J.赫特科恩;W.贝格鲍尔;P.德雷克泽尔 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2015-02-24 - 2018-11-27 - H01L33/00
- 说明用于制造半导体层序列的方法,所述方法具有以下步骤:‑提供具有在生长侧(50a)处的生长面(51)的生长衬底(50),‑在生长侧处生长第一氮化半导体层(10),‑第二氮化半导体层(20)生长到第一氮化半导体层(10)上,其中第二氮化半导体层(20)具有至少一个开口(21),或者在第二氮化半导体层(20)中产生至少一个开口(21),或者在生长期间在第二氮化半导体层(20)中形成至少一个开口(21),‑通过第二氮化半导体层(20)中的开口(21)将第一氮化半导体层(10)的至少一部分移除,‑第三氮化半导体层(30)生长到第二氮化半导体层(20)上,其中所述第三氮化半导体层(30)至少部分地覆盖开口(21)。
- 专利分类