[发明专利]用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件无效
| 申请号： | 200880006547.5 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101627465A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 安田浩幸 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C09J7/02;C09J133/06;H01L21/301;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;吕俊清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了用于半导体的粘合膜，其包括(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物和(B)不同于(甲基)丙烯酸酯共聚物的热塑性树脂。利用直径为20mm的平行板在175℃的温度下向用于半导体的粘合膜施予频率为1Hz的3000Pa剪应力后产生剪应变γ，所述用于半导体的粘合膜在开始测量剪应变γ后10min-2hr时期内满足下式(1)。根据本发明，即使由于半导体器件中半导体芯片多层层积导致引线接合工艺中较长的受热史，在密封材料的封止工序中，本发明用于半导体的粘合膜也能提高基板表面凹凸的填充性能。0.10≤γ≤0.30 (1) | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 粘合 使用 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.用于半导体的粘合膜，其用于层积两层或更多层半导体芯片，所述粘合膜包含：(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，和(B)除(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的热塑性树脂；所述用于半导体的粘合膜的构成使其在开始测量后的10分钟起满足下式(1)达2个小时，0.10≤γ≤0.30 (1)其中，γ表示在直径为20mm的平行板上，于175℃的温度和1Hz的频率，经受3000Pa的剪应力后产生的剪应变的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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