[发明专利]用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件无效
| 申请号： | 200880006547.5 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101627465A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 安田浩幸 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C09J7/02;C09J133/06;H01L21/301;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;吕俊清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 粘合 使用 半导体器件 | ||
1.用于半导体的粘合膜，其用于层积两层或更多层半导体芯片，所述粘合膜包含：
(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，和
(B)除(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的热塑性树脂；
所述用于半导体的粘合膜的构成使其在开始测量后的10分钟起满足下式(1)达2个小时，
0.10≤γ≤0.30 (1)
其中，γ表示在直径为20mm的平行板上，于175℃的温度和1Hz的频率，经受3000Pa的剪应力后产生的剪应变的量。
2.如权利要求1所述的用于半导体的粘合膜，其基本不含热固性树脂。
3.如权利要求1或2所述的用于半导体的粘合膜，其中，所述(B)除(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的热塑性树脂为苯氧树脂。
4.如权利要求1或2所述的用于半导体的粘合膜，其中，所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物包含具有羧基基团的单体单元。
5.如权利要求1或2所述的用于半导体的粘合膜，其中，相对于100重量份的所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述(B)除(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的热塑性树脂的添加量为0.5重量份-30重量份。
6.如权利要求1或2所述的用于半导体的粘合膜，其进一步包含(C)无机填料。
7.如权利要求6所述的用于半导体的粘合膜，其中，所述(C)无机填料为石英。
8.如权利要求6所述的用于半导体的粘合膜，其中，相对于100重量份的除(C)无机填料以外的树脂组合物，(C)无机填料的添加量为5重量份-100重量份，其中所述树脂组合物包含(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物和(B)除(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的热塑性树脂。
9.如权利要求1或2所述的用于半导体的粘合膜，其进一步包含(D)偶联剂。
10.如权利要求9所述的用于半导体的粘合膜，其中，相对于100重量份的树脂组合物，(D)偶联剂的添加量为0.01重量份-10重量份，其中所述树脂组合物包含(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物和(B)除(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的热塑性树脂。
11.如权利要求1或2所述的用于半导体的粘合膜，其被配置为可作为切割板使用。
12.半导体器件，其包含利用权利要求1至11中任一项所述的用于半导体的粘合膜所层积的两层或多层半导体芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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