[发明专利]用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及粘合膜和包含所述粘合膜的半导体器件，更特别涉及用于接合半导体芯片的粘合膜。

背景技术

近年，电子设备的高性能化提高了对半导体器件的高密度化和高集成化的要求，由此促进半导体封装件在容量和密度方面的提高。

目前正进行多种研究以满足此需求，例如对将一个半导体芯片层积在另一个半导体芯片的多层结构的技术进行研究，从而降低半导体封装件的尺寸和厚度，提高半导体封装件的容量。此封装件主要采用有机基板，例如双马来酰亚胺三嗪基板或聚酰亚胺基板(专利文献1)。

根据专利文献1，半导体封装件主要利用膜状粘合剂来接合半导体芯片和有机基板或者使半导体芯片彼此接合，原因是难以使用适量的常规膏状粘合剂而使粘合剂不从半导体芯片挤出。

另外，专利文献2-4公开了与膜状粘合剂有关的常规技术。

专利文献2中教导了使用由环氧树脂和丙烯酸橡胶构成的粘合膜接合半导体芯片和配线基板(interconnect substrate)。

专利文献3教导了使用主要由苯氧树脂构成的粘合膜接合半导体芯片和配线基板。

专利文献4教导了将粘合带在接合温度下的最小粘度调节在特定范围内，从而控制流动性。

专利文献1：JP-A No.2006-73982专利文献2：JP-A No.2001-220571专利文献3：JP-A No.2002-138270专利文献4：JP-A No.H11-12545

然而，上述文献的常规技术在以下方面仍然具有可改进的空间。在接合配线基板和半导体芯片的情况下，由于金属配线位于配线基板的表面，并且该表面覆盖有阻焊剂，从而使存在金属配线的区域和没有金属配线的区域在配线基板的表面形成凹凸。传统的用于半导体的粘合膜在接合半导体芯片和配线基板后并不总是能够适当地填充所述凹凸，并且可能在配线基板和半导体芯片之间留下间隙(void)，该间隙会降低半导体封装件的可靠性。

通过利用用于半导体的粘合膜接合半导体芯片和配线基板，在半导体芯片和配线基板之间进行引线接合(wire bonding)，并在使用密封材料的封止工艺中施加热和压力，使用于半导体的粘合膜能够填充配线基板表面的凹凸，因此，用于半导体的粘合膜在密封工艺中的流动性至关重要。

另外，目前半导体芯片以多层形式进行层积，由此需要更长时间进行引线接合，从而延长了用于半导体的粘合膜在利用密封材料封止前经历的受热史。因此，用于半导体的粘合膜在利用密封材料封止前即被固化并丧失流动性，从而导致配线基板的表面不能被适当填充这一缺陷。

发明内容本发明要解决的问题

本发明的目的是提供在半导体器件(其为包括多层层积的半导体芯片并需要较长时间进行引线接合的半导体器件)内的用于半导体的粘合膜，其在用密封材料进行封止的工艺中对于基板的凹凸表面具有优异的填充性(尽管该用于半导体的粘合膜在用密封材料进行封止前需要经历较长的受热史)，还提供使用该粘合膜的半导体器件。

解决问题的方式