[实用新型]半导体芯片中的电容有效
| 申请号： | 200820057145.5 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN201207394Y | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 许刚 | 申请（专利权）人： | 捷顶微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/02;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；所述每层金属层呈六边形网状结构。本实用新型能够更佳充分地利用空间，使得金属层的侧表面积可以得到充分利用，从而增加电容的密度；同时，充分利用了通孔的侧面电容，使得等效寄生电容得到提高。这在深亚微米集成电路制造工艺更有意义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 中的 电容 | ||
【主权项】：
1、一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；其特征在于：所述每层金属层呈单元格为六边形的网状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
