[实用新型]半导体芯片中的电容有效
| 申请号： | 200820057145.5 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN201207394Y | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 许刚 | 申请（专利权）人： | 捷顶微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/02;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 中的 电容 | ||
1、一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；其特征在于：所 述每层金属层呈单元格为六边形的网状结构。
2、根据权利要求1所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述金属层包括两层极性相 异的金属电极。
3、根据权利要求2所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述每层金属电极包括若干 形状近似的单元格，各单元格大致呈六边形。
4、根据权利要求2所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述每层金属电极的每个单 元格设置三个通孔；在该通孔的至少一侧分别设置一个金属层平面。
5、根据权利要求4所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述通孔的间距相同。
6、根据权利要求4所述半导体芯片中的电容，其特征在于：在所述通孔的两侧分别设置 一个金属层平面。
7、根据权利要求2或3或4或5或6所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述两层 相邻的金属电极之间设置介电层。
8、根据权利要求4或5或6所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述通孔的位置与 相邻金属电极单元格六边形的中心相应；所述六边形为正六边形。
9、根据权利要求1或2或3或4或5或6所述半导体芯片中的电容，其特征在于：所述 电容包括3个以上金属层。
10、一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；其特征在于： 所述每层金属层呈多边形网状结构；所述多边形边的数目大于6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
