[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810215742.0 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101388411A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 土明正胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置，即使将源极区域及漏极区域硅化，也可以尽可能地抑制漏电流。其特征在于具备：具有半导体区域的硅基板；和第1MOSFET。第1MOSFET具有：与半导体区域有间隔地形成的源极/漏极区域；在源极区域和漏极区域之间的半导体区域上形成的绝缘膜；在绝缘膜上形成的栅极电极；在栅极电极的侧部形成的侧壁绝缘膜；单结晶硅层，在第1源极/漏极区域上形成，至少具有成为{111}面的表面；NiSi层，至少在单结晶硅层的{111}面上形成，且具有与侧壁绝缘膜接触的部分，该部分与单结晶硅层的界面是单结晶硅层的{111}面；以及与NiSi层接触的第1TiN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其特征在于，具备：具有第1导电型的第1半导体区域的硅基板；和第1MOSFET，该第1MOSFET具有：与上述第1半导体区域有间隔地形成的第2导电型的第1源极/漏极区域；在上述第1源极区域和上述第1漏极区域之间的上述第1半导体区域上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅极电极；在上述第1栅极电极的侧部形成的第1侧壁绝缘膜；第1单结晶硅层，在上述第1源极/漏极区域上形成，至少具有成为{111}面的表面；第1NiSi层，至少在上述第1单结晶硅层上形成，且具有与上述第1侧壁绝缘膜接触的部分，上述部分与上述第1单结晶硅层的界面是上述第1单结晶硅层的{111}面；以及与上述第1NiSi层接触的第1TiN膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810215742.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
