[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

具有第1导电型的第1半导体区域的硅基板；和第1MOSFET，

该第1MOSFET具有：

与上述第1半导体区域有间隔地形成的第2导电型的第1源极/漏极区域；

在上述第1源极区域和上述第1漏极区域之间的上述第1半导体区域上形成的第1绝缘膜；

在上述第1绝缘膜上形成的第1栅极电极；

在上述第1栅极电极的侧部形成的第1侧壁绝缘膜；

第1单结晶硅层，在上述第1源极/漏极区域上形成，至少具有成为{111}面的表面；

第1NiSi层，至少在上述第1单结晶硅层上形成，且具有与上述第1侧壁绝缘膜接触的部分，上述部分与上述第1单结晶硅层的界面是上述第1单结晶硅层的{111}面；以及

与上述第1NiSi层接触的第1TiN膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1单结晶硅层具有与上述第1侧壁绝缘膜对置且成为上述第1单结晶硅层的{111}面的侧面，上述第1TiN膜设置在上述侧面和上述第1侧壁绝缘膜之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1半导体区域的上表面是硅的{100}面。

4.一种半导体装置，其特征在于，具备：

具有第1导电型的第1半导体区域的硅基板；和第1MOSFET，

该第1MOSFET具有：

与上述第1半导体区域有间隔地形成的第2导电型的第1源极/漏极区域；

在上述第1源极区域和上述第1漏极区域之间的上述第1半导体区域上形成的第1绝缘膜；

在上述第1绝缘膜上形成的第1栅极电极；

在上述第1栅极电极的侧部形成的第1侧壁绝缘膜；

第1单结晶硅层，在上述第1源极/漏极区域上形成，设有达到上述第1源极/漏极区域的多个第1沟，上述第1沟的侧面成为{111}面；

上述第1单结晶硅层的至少{111}面上形成的第1NiSi层；以及

与上述第1NiSi层接触的第1TiN膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1半导体区域的上表面是硅的{110}面。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第1沟的底部形成有含碳的硅氧化层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第1单结晶硅层的{111}面上形成的上述第1NiSi层由单一或者多个单结晶体NiSi构成，各单结晶体NiSi的(100)面与上述第1单结晶硅层的{111}面平行。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备包围上述第1半导体区域的元件分离区域，上述第1单结晶硅层在上述元件分离区域上延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1源极/漏极区域具备：第1扩散层区域，与上述栅极电极邻接形成；第2扩散层区域，与上述第1扩散层区域相比，相对于上述栅极电极形成得更远，而且与上述第1扩散层区域相比，结深度更深。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1栅极电极具备：在上述第1绝缘膜上形成的电荷蓄积膜；在上述电荷蓄积膜上形成的阻挡绝缘膜；以及在上述阻挡绝缘膜上形成的控制栅极电极。