[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件，在包含选择用nMIS(Qnc)和在选择用nMIS(Qnc)的侧面隔着绝缘膜(6b)、(6t)和电荷存储层(CSL)形成的存储用nMIS(Qnm)的存储单元(MC1)中，将选择栅电极(CG)的栅极长度方向端部之下的栅极绝缘膜(4)的厚度形成得比栅极长度方向中央部之下的栅极绝缘膜(4)的厚度厚，并将位于选择栅电极(CG)和电荷存储层(CSL)之间、且最靠近半导体衬底(1)的下层绝缘膜(6b)的厚度形成为位于半导体衬底(1)和电荷存储层(CSL)之间的下层绝缘膜(6b)的厚度的1.5倍以下。能够在分割栅型MONOS存储单元中提高采用SSI方式进行写入时的抗干扰性。

主权项

1.一种半导体存储器件，具有在半导体衬底的主面的第一区域包含第一场效应晶体管且在第二区域包含与上述第一场效应晶体管邻接的第二场效应晶体管的非易失性存储单元，该半导体存储器件的特征在于，具有：在上述第一区域内形成的上述第一场效应晶体管的第一栅电极；在上述第二区域内形成的上述第二场效应晶体管的第二栅电极；在上述半导体衬底和上述第一栅电极之间形成的第一栅极绝缘膜；在上述半导体衬底和上述第二栅电极之间以及上述第一栅电极和上述第二栅电极之间形成的电荷存储层；以及在上述半导体衬底和上述电荷存储层之间以及上述第一栅电极和上述电荷存储层之间形成的第一绝缘膜，上述第一栅电极的栅极长度方向端部之下的上述第一栅极绝缘膜的厚度，比上述第一栅电极的栅极长度方向中央部之下的上述第一栅极绝缘膜的厚度厚，位于上述第一栅电极和上述电荷存储层之间且最靠近上述半导体衬底的上述第一绝缘膜的厚度为上述半导体衬底和上述电荷存储层之间的上述第一绝缘膜的厚度的1.5倍以下。