[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810186572.8 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101510536A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 小出优树;南正隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可使具有WPP技术的再配线的半导体装置的可靠性提高。再配线在半导体基板1S的面内具有彼此电性分离的本体图案2及虚设图案3。将与多层配线电性连接的本体图案2及浮动的虚设图案3设置成混合存在于半导体基板1S的面内。半导体基板1S的面内的本体图案2及虚设图案3合在一起的占有率，即再配线的占有率为35％以上且60％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其特征在于：包括设置在半导体基板上的多层配线、以覆盖所述多层配线的方式设置在所述半导体基板上的无机类绝缘膜、设置在所述无机类绝缘膜上的第1有机类绝缘膜、设置在所述第1有机类绝缘膜上的再配线、及以覆盖所述再配线的方式设置在所述第1有机类绝缘膜上的第2有机类绝缘膜，所述再配线在所述半导体基板的面内具有彼此电性分离的第1图案及第2图案，在所述多层配线的最上配线的一部分上且在所述无机类绝缘膜及所述第1有机类绝缘膜上所设置的第1开口部中，所述第1图案与所述多层配线电性连接，所述第2图案与所述多层配线电性分离；在所述第1图案的一部分上且在所述第2有机类绝缘膜上所设置的第2开口部中，所述第1图案的一部分露出，所述第1图案与所述第2图案设置成混合存在于所述半导体基板的面内。
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