[发明专利]具有反射结构的太阳能电池无效

申请号：	200810184937.3	申请日：	2008-12-23
公开（公告）号：	CN101764171A	公开（公告）日：	2010-06-30
发明（设计）人：	方宣尹;郭昭显;黄建福	申请（专利权）人：	财团法人工业技术研究院
主分类号：	H01L31/075	分类号：	H01L31/075;H01L31/052
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	彭久云
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	一种具有反射结构的太阳能电池，包括堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于：N型层为低折射率材料层，且低折射率材料层的折射率低于本征层的折射率。另外，N型层还可以是一种多层结构。这个多层结构是由多个以低折射率与高折射率互相堆栈的膜所构成，且于多层结构中与本征层接触的是低折射率膜，其中低折射率膜的折射率低于本征层的折射率。
搜索关键词：	具有反射结构太阳能电池
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【主权项】：

一种具有反射结构的太阳能电池，包括：堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于：该N型层为低折射率材料层，且该低折射率材料层的折射率低于该本征层的折射率。

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摘要：本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

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摘要：本发明公开了一种新型硅基底异质结太阳电池。本发明在N型单晶硅或多晶硅片的背面蒸发Ag背电极，在硅片的正面(电池的受光面)依次沉积本征非晶硅(i-a-Si:H)，P型纳米硅(p-nc-Si:H)，P型重掺杂的非晶硅(p+-a-Si:H)，超薄的本征非晶硅(i-a-Si:H)，最后在其上溅射一层ITO透明导电薄膜，丝网印刷Ag栅线电极。本发明具有上述新型结构的太阳电池，比普通的硅太阳电池成本低，降低了普通非晶硅太阳电池的光致衰退，具有更好的长期使用稳定性，光吸收能力强，光电转换效率高。在AM1.5，100mW/cm2的标准模拟光强下，效率达到了17.2％。

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申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明涉及一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法，该三结叠层太阳能薄膜电池包括顶电池、中间电池和底电池，各电池分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其中，顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜。上述三结叠层太阳能薄膜电池的制备方法中，形成顶电池本征层时，在硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5Torr的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30W的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜。通过本发明，能提高顶电池的带隙宽度，扩大太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，克服S-W效应，从而提高光电转化效率。

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申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明提出了一种具有减反射膜的大面积硅基薄膜太阳电池及其制备方法，电池结构为减反射膜/玻璃/TCO/p/i/n/TCO/Al，通过在光伏玻璃上采用溶胶凝胶的方法制备一层减反射膜，与电池的前电极TCO薄膜相结合获得双层减反的效果，使得太阳电池对入射光的吸收增强，有利于提高太阳电池的光电转换效率；另外，本发明采用的方法简单易行，可在大面积上获得性质均匀的减反射膜，有利于在产业化的硅基薄膜太阳电池的生产中获得应用。

太阳能电池及其制造方法-200980125259.6
发明人：浅海利夫;坂田仁 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明提供太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池(10)，具有半导体基板(11)和形成在半导体基板(11)背面上的i型非晶半导体层(12)，其中，i型非晶半导体层(12)包括在平面视图中露出的露出部(12A)，和被p型非晶半导体层(13)和n型非晶半导体层(14)覆盖的被覆部(12B)。露出部(12A)的厚度T1比被覆部(12B)的厚度T2小。

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申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池，其在面内具有由微结晶硅薄膜构成的发电层，该微结晶硅薄膜具有第一区域和与第一区域相比结晶化率低且载体的寿命高的第二区域。

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摘要：本发明提供一种太阳能电池(10)，其具备：受光面电极层(2)；背面电极层(4)；设置于受光面电极层(2)与背面电极层(4)之间的层叠体(3)。层叠体(3)包括：第一光电变换部(31)；和将透过第一光电变换部(31)的光的一部分向第一光电变换部(31)侧反射的反射层(32)。反射层(32)具有：包含折射率调节材料的低折射率层(32b)；和介于低折射率层(32b)与第一光电变换部(31)之间的接触层(32a)。构成折射率调节材料的材料的折射率比构成接触层(32a)的材料的折射率低。低折射率层(32b)的折射率比接触层(32a)的折射率低。

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摘要：本发明公开了一种具有改进的静电放电损伤阈值的光电探测器，其适合应用于以高数据率操作的电信系统中。该光电探测器可以是制作在InP化合物半导体系统中的PIN或APD。该ESD损伤阈值的增高是通过减小光电探测器中ESD引起的电流密度而实现的，而减小光电探测器中ESD引起的电流密度是通过在关键位置适当加宽接触，增大串联电阻以及借助电流扩展层来增高侧向电流扩展而实现的。

太阳能电池模块-200980105942.3
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摘要：本发明提供一种太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括：依次叠层在基板的主面上的第一电极层、第一半导体层、透光性导电层、第二半导体层和第二电极层；将第一电极层分离的第一分离槽；将第一半导体层、透光性导电层和第二半导体层分离的第二分离槽；和将第二电极层、第二半导体层、透光性导电层和第一半导体层分离的第三分离槽，第二电极层具有：在第二分离槽的内壁上和第二半导体层上形成的第一导电层；以及在第一导电层上形成的第二导电层，第一导电层的电阻率比第二导电层的电阻率高，第一导电层，在构成第二分离槽的底面的第一电极层上，至少被填充到透光性导电层与第二半导体层的界面的位置。

一种新型叠层薄膜太阳能电池及其制作方法-201010138623.7
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摘要：本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，具体地说是一种叠层薄膜太阳能电池及其制作方法，由玻璃衬底、下电极层、下子电池层、中间层、上子电池层、上电极层构成，各膜层采用不用的工艺方法依次沉积在玻璃衬底上。其中下电极层为TCO膜层，下子电池层由P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型非晶硅层组成，中间层为氧化锌（ZnO）缓冲层，上子电池层由P型微晶硅层、多晶硅层、N型多晶硅层组成，上电极为ZnO/Al透明导电氧化物层。本发明采用不同禁带宽度的材料制备分别制备上子电池层和下子电池层两个子电池，拓宽了光谱吸收范围，有效地提高了光电转换效率，降低了生产成本，具有成本低、效果好等显著优点。

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申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。

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摘要：本发明公开了一种透明型太阳能电池模块及其制造方法。透明型太阳能电池模块包括透明基板、第一透明电极、P型层、本征层、N型堆叠层以及第二透明电极。第一透明电极位于透明基板上。P型层位于第一透明电极上。本征层位于该P型层上。N型堆叠层位于本征层上，且N型堆叠层是由至少两种具有不同折射率的N型材料层相互堆叠而成。第二透明电极位于N型堆叠层上。

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摘要：公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。

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发明人：方宣尹;郭昭显;黄建福 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/075
摘要：一种具有反射结构的太阳能电池，包括堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于：N型层为低折射率材料层，且低折射率材料层的折射率低于本征层的折射率。另外，N型层还可以是一种多层结构。这个多层结构是由多个以低折射率与高折射率互相堆栈的膜所构成，且于多层结构中与本征层接触的是低折射率膜，其中低折射率膜的折射率低于本征层的折射率。

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申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/075
摘要：一种能够防止电池和接触线损坏的薄膜太阳能电池模块。该薄膜太阳能电池模块包括含有彼此并联双向连接的多个电池串的电池模块，其中电池串的每一个都包括通过接触线彼此串联连接的多个电池，其中，在光源为氙灯，辐照度为100mW/cm2，AM为1.5，且温度为25℃的条件下，当该电池模块的输出由P(W)表示，该电池串的输出由Ps(W)表示，且该接触线的面积由Sc(cm2)表示时，(P-Ps)/Sc为10.7(kW/cm2)以下，Ps为12W以下，且P为385W以下。

高效三结太阳能电池-200910213345.4
发明人：姚华文;张宏勇 -专利权人：江苏华创光电科技有限公司
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明公开了一种高效三结太阳能电池，包括透明基板，以及依据本征层的禁带宽度由大到小依次设置在基板上的非晶硅太阳能电池、微晶硅太阳能电池、微晶锗硅太阳能电池，在微晶锗硅太阳能电池上设有集电极。本发明所述高效三结太阳能电池通过增加微晶GeSi作为本征层的第三个子电池，可以有效吸收太阳光红外部分，提高转换效率。另外由于微晶GeSi层可以使用PECVD等方法制备，可以大面积制备，为大规模应用太阳能电池创造了良好的生产条件。

柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-200910198262.2
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅p2层-氧化铟锡层-银浆栅线。同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线；经过后处理步骤，得到成品。本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。

半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件-200810147346.9
发明人：李沅民;单洪青;林朝晖 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明公开了一种半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件，所述半导体结构用于薄膜光伏器件的光吸收，包括基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅的p层；在p层表面的非晶锗本征i层；和在非晶锗本征i层表面的基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅或a-SiGe的n层。所述薄膜光伏器件为三结光伏器件，包括本征层为非晶硅的顶结光电转换单元；本征层为纳米晶硅的中间结光电转换单元和本征层包括非晶锗的底结光电转换单元。本发明的半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件能够进一步提高多结薄膜光伏器件的性能并降低产业化制造成本。

叠层结构和包括该叠层结构的薄膜太阳能电池-200810134563.4
发明人：李沅民;张群芳;林朝晖 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L31/075
摘要：本发明提供了一种叠层结构和包括该叠层结构的薄膜太阳能电池，本发明采用氢化纳米晶硅和氢化非晶锗叠层结构作为p-i-n型薄膜太阳能电池的本征i层，具有很强的红光和红外线吸收能力，将这种叠层结构作为底结的多结薄膜太阳能电池具有更高的转换效率和更低的生产成本。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]具有反射结构的太阳能电池无效

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