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[发明专利]用于气体输送健康监测的参数感测和计算机建模-CN202180064973.X在审
发明人：阿拉·莫拉迪亚;詹姆斯·奥马尔·勒赫;盛殊然;罗希特·马哈卡里;卡廷克·拉马斯瓦米;张林;乌梅什·马德哈夫·克尔卡尔;格沛拉克里西那·B·普拉布;政·元;吴正勋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：一种方法包括：从沿着输送管线定位的多个传感器接收测量数据，该输送管线将液体作为气体输送到气体面板或处理腔室的一者；使用计算机生成的模型仿真与输送管线和在输送管线周围定位的多个加热器护套相关联的一个或多个处理参数；将测量数据与一个或多个处理参数的值进行比较；和基于在测量数据与一个或多个处理参数的值之间的至少阈值偏差，确定存在与维持输送管线内的温度与液体的气态一致相关联的故障。
用于气体输送健康监测参数计算机建模

[发明专利]用于紫外半导体基板处理的原位光检测方法及设备-CN202080082546.X在审
发明人：拉尔夫·彼得·安东尼奥;盛殊然;林·张;约瑟夫·C·沃纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文提供了用于检测紫外光的方法和设备。例如，紫外(UV)处理腔室包括：真空窗或透明喷头；UV光源，设置在真空窗或透明喷头的一个的上方，并配置成产生UV光并将UV光传送到UV处理腔室的处理空间中；和第一UV传感器，配置成测量来自UV光源的发射率或传送到处理空间中的UV光的辐照度的至少一个，并在操作期间将与来自UV光源的发射率或UV光的辐照度的所测量的至少一个相对应的信号传送到耦合到UV处理腔室的控制器。
用于紫外半导体处理原位检测方法设备

[发明专利]用于高温腐蚀环境的基板支承件盖-CN202080037702.0在审
发明人： 盛殊然;林·张;黄际勇;约瑟夫·C·沃纳;斯坦利·吴;马赫什·阿迪纳特·卡纳瓦德;陈奕凯;宜兴·林;英玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染。
用于高温腐蚀环境支承

[发明专利]用于低损坏率和高处理量等离子体处理的大面积VHF PECVD腔室-CN201780055121.8有效
发明人： 盛殊然;阿部忍;桑原庆太;崔苏河 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器，所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。
用于损坏处理等离子体大面积 vhf pecvd

[发明专利]用于异质结太阳能电池形成的更换和翻转腔室设计-CN201780082518.6在审
发明人：金庆泰;周素镐;北村典彦;阿部忍;盛殊然 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：在一个实施方式中，提供了腔室，所述腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和所述盖限定内部容积；框架，所述框架在所述内部容积内，所述框架被设定尺寸以接收在第一取向上的多个衬底；以及旋转驱动组件，所述旋转驱动组件耦接到所述框架以用于旋转所述框架并将所述多个衬底中的每个衬底翻转到与所述第一取向不同的第二取向。
衬底取向旋转驱动组件腔室主体腔室异质结太阳能电池翻转翻转腔

[发明专利]制造具有高转换效率的薄膜太阳能电池-CN201080061832.4无效
发明人：大卫·谭纳尔;海恩-敏·胡·勒;全成(托米)·顾;盛殊然;蔡永基;再-发(杰夫)·苏;王大鹏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种用以形成太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中，光伏装置包括：抗反射涂覆层，其设置在衬底的第一表面上；阻挡层，其设置在衬底的第二表面上；第一透明导电氧化物层，其设置在阻挡层上；导电接触层，其设置在第一透明导电氧化物层上；第一p-i-n结，其形成在导电接触层上；以及第二透明导电氧化物层，其形成在第一p-i-n结上。
制造具有转换效率薄膜太阳能电池

[发明专利]高效能薄膜硅太阳能电池的高品质透明导电氧化物-硅界面接触结构-CN201080012538.4无效
发明人： 盛殊然;蔡容基;斯蒂芬·克莱因;阿米尔·阿拉-巴亚提;巴斯卡·库马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了一种用以形成太阳能电池的方法及设备。在一实施例中，一种光伏器件包含：第一TCO层，所述第一TCO层设置在基板上；第二TCO层，所述第二TCO层设置在所述第一TCO层上；以及p-型含硅层，所述p-型含硅层形成在所述第二TCO层上。在另一实施例中，一种形成光伏器件的方法包含以下步骤：在基板上形成第一TCO层；在所述第一TCO层上形成第二TCO层；以及在所述第二TCO层上形成第一p-i-n结。
高效能薄膜太阳能电池品质透明导电氧化物界面接触结构

[发明专利]用于薄膜与晶圆基太阳能应用的微晶硅合金-CN200980151265.9无效
发明人： 盛殊然;蔡容基 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供一种形成太阳能电池的方法和设备。使用含碳、氧和氮的掺杂结晶半导体合金作为薄膜太阳能电池的光捕捉加强层和电荷收集层。半导体合金层的形成是通过提供半导体源化合物和共同组成源化合物至处理腔室、以及离子化气体以沉积层至基板上。合金层能提供改善的折射率控制、宽光学能带隙和高导电率。
用于薄膜晶圆基太阳能应用微晶硅合金

[发明专利]在具有喷头的等离子体增强化学汽相沉积系统中通过背面扩散实现气体混合的方法-CN201010287174.2无效
发明人：杨谢森;蔡容基;盛殊然;李立伟 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及在沉积室中于基板上形成微晶硅层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将工艺气体流入到沉积室的背板和喷头之间的扩散区域中，将工艺气体流动通过喷头中的多个孔并流入到沉积室的喷头和基板支件之间的工艺空间中，点燃工艺空间中的等离子体，使等离子体中形成的气体离子回流通过喷头中的多个孔并流入到扩散区域中，在扩散区域中混合气体离子和工艺气体，使气体离子和工艺气体回流通过喷头中的多个孔并流入到工艺空间中，和在基板上沉积微晶硅层。
具有喷头等离子体增强化学沉积系统通过背面扩散实现气体混合方法

[发明专利]在沉积处理间实施的等离子处理-CN200880114527.X无效
发明人：崔寿永;蔡容基;盛殊然;李立伟 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明实施方式包括一种利用在二或多沉积步骤之间使用等离子处理来形成薄膜太阳能电池装置的改良方法。本发明实施方式也提供一种用来实施上述方法的设备。本发明有利于形成其它单接合区、串接接合区、多接合区的太阳能电池装置。
沉积处理实施等离子

[发明专利]用于薄膜太阳能应用的微晶硅沉积-CN200880112704.0无效
发明人：蔡容基;崔寿永;盛殊然 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：如权利要求所述的本发明的实施例涉及一种薄膜多结太阳能电池以及用于形成该太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中提供了一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法。该方法包括：在反应区中放置基板；将混合气体提供至反应区，其中所述混合气体包括含硅化合物和氢气；以第一沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第一区域；以高于第一沉积速率的第二沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第二区域；以及以低于第二沉积速率的第三沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。
用于薄膜太阳能应用微晶硅沉积

[发明专利]光电生产线-CN200880105071.0无效
发明人：罗伯特·Z·巴克拉克;蔡容基;崔寿永;尼古拉斯·G·J·德弗里;雅科夫·埃尔格;埃里克·A·恩格尔哈特;米歇尔·R·弗赖;查尔斯·盖伊;帕里斯·霍金斯;乔伊·胡;詹姆斯·克雷格·亨特;潘查拉·N·坎卡纳拉;李利伟;温·胡·罗;丹尼·卡姆·托恩·鲁;方·梅;斯蒂芬·P·墨菲;斯鲁杰尔·帕特尔;马修·J·B·桑德斯;阿萨夫·施莱辛格;盛殊然;苏杰发;杰弗里·S·沙利文;戴维·坦纳;特雷莎·特罗布里奇;布赖斯·沃克;约翰·M·怀特;泰·K·王 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G06F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及利用适以在形成太阳能电池的处理中执行一或多个步骤的处理模块来形成光电装置或太阳能电池的系统。自动化太阳能电池工厂一般配置有用来形成太阳能电池的自动化处理模块和自动化设备。此自动化太阳能电池工厂因此大致包含一基板接收模块，用来接收基板；一或多个吸收层沉积群集工具，具有至少一个处理腔室可沉积含硅层在基板表面上；一或多个背接触沉积腔室；一或多个材料移除腔室；太阳能电池封装装置；热压釜模块；自动化接线箱附接模块；和一或多个质量确保模块，适以测试及合格化已完全形成的太阳能电池装置。
光电生产线

[发明专利]用于基于薄膜和晶片的太阳能应用的微晶硅合金-CN200910170766.3无效
发明人： 盛殊然;蔡容基 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供了一种用于形成太阳能电池的方法和装置。将包括碳、氧、和氮的掺杂晶体半导体合金用作薄膜太阳能电池的电荷收集层。通过将半导体源化合物和共组分源化合物提供给处理室并离子化所述气体以便在基板上沉积层，来形成所述半导体合金层。所述合金层提供改进的折射系数控制、宽能带隙、高电导率、和抗氧侵蚀能力。
用于基于薄膜晶片太阳能应用微晶硅合金

[发明专利]用于形成具有低接触电阻的光电组件的方法-CN200880011211.8无效
发明人： 盛殊然;蔡容基;元泰景;李立伟;崔寿永;Y·李;J·G·克鲁兹 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：本发明提供一种改良的PV太阳能电池结构及其制造方法。在一实施例中，光电组件包括第一光电转换单元、第一透明导电氧化物层以及第一微晶硅层，该第一微晶硅层设置于光电转换单元与透明导电氧化物层之间并与该些层接触。在另一实施例中，一种形成光电太阳能电池的方法包括：提供具有第一透明导电氧化物层设置于其上的基板；于透明导电氧化物层上沉积第一微晶硅层；以及在微晶硅层上形成第一光电转换单元。
用于形成具有接触电阻光电组件方法

[发明专利]透明导电薄膜的反应性溅射沉积方法-CN200780047064.5无效
发明人：李洋平;叶洋;蔡容基;元泰景;安库尔·凯达姆;盛殊然;李立伟 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明是提供一种用于溅射沉积一透明导电氧化物(TCO)层的方法。透明导电氧化物层可以用作为光伏元件中的背反射板。在一实施例中，该方法包括：将一基板提供至一制程室中；通过一第一溅射沉积步骤而在基板上形成透明导电氧化物层的一第一部分；以及通过一第二溅射沉积步骤而形成透明导电氧化物层的一第二部分。
透明导电薄膜反应溅射沉积方法

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