专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]核素转换方法及核素转换装置-CN201380007232.3有效
  • 岩村康弘;伊藤岳彦;牟田研二;鹤我薰典 - 三菱重工业株式会社
  • 2013-01-29 - 2017-03-08 - G21G7/00
  • 本发明提供一种核素转换装置及核素转换方法,与加速器或反应堆等大规模的装置相比,能够以规模相对较小的装置进行核素转换,使核素转换量增大。本发明的核素转换装置具备结构体(1)、从两侧夹入结构体(1)而配置的氘高浓度部(2)及氘低浓度部(3),向氘高浓度部(2)供给包含重水的电解液(16),将电解液(16)电解而产生氘,在结构体(1)的氘高浓度部(2)侧的表面附近形成氘浓度高的状态,同时,使氘低浓度部(3)形成氘浓度低于氘高浓度部(2)的状态,使氘从氘高浓度部(2)向氘低浓度部3透过结构体(1),在结构体(1)中,使实施核素转换的物质在氘的作用下发生核素转换。
  • 核素转换方法装置
  • [发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN201110079917.1无效
  • 鹤我薰典;山口贤刚;吴屋真之;坂井智嗣 - 三菱重工业株式会社
  • 2008-12-05 - 2011-09-07 - H01L31/075
  • 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3),其中,所述p层(41)为以1%以上25%以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者,所述n层(43)为以1%以上20%以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者,在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层,该界面层为以1%以上30%以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者,在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层,该界面层为以1%以上20%以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。
  • 光电转换装置及其制造方法
  • [发明专利]光电转换装置-CN200980129888.6无效
  • 山口贤刚;坂井智嗣;鹤我薰典 - 三菱重工业株式会社
  • 2009-08-20 - 2011-06-29 - H01L31/04
  • 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100),在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5),所述光电转换装置的特征在于,所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO2(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。
  • 光电转换装置
  • [发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN200980100161.5无效
  • 坂井智嗣;浅原裕司;小林靖之;森匡史;鹤我薰典;山下信树 - 三菱重工业株式会社
  • 2009-01-09 - 2010-07-14 - H01L31/04
  • 本发明提供一种转换装置及其制造方法,通过将背面结构的表面形状最适宜化,提高发电层的光吸收特性。光电转换装置(100)在基板(1)上从基板(1)侧依次具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、背面电极层(4),其特征在于,背面电极层(4)具备银薄膜,第二透明电极层(6)的背面电极层(4)侧的表面具有微细的凹凸形状,相对于表面的投影面积的表面积增加率为10%以上32%以下。以及,光电转换装置(100)在基板(1)上从基板(1)侧依次具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、背面电极层(4),其特征在于,背面电极层(4)具备银薄膜,第二透明电极层(6)的背面电极层(4)侧的表面具有微细的凹凸形状,第二透明电极层(6)具有针状晶体。
  • 光电转换装置及其制造方法
  • [发明专利]光电转换装置-CN200980100102.8无效
  • 坂井智嗣;浅原裕司;小林靖之;森匡史;鹤我薰典;山下信树 - 三菱重工业株式会社
  • 2009-01-07 - 2010-07-14 - H01L31/04
  • 本发明提供一种光电转换装置,通过最优化透明导电层来提高光电转换装置的短路电流。该光电转换装置(100)在基板(1)上具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、及背面电极层(4),其特征在于,上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下,且在波长600nm以上1000nm以下的区域上的所述第二透明电极层(6)的光吸收率为1.5%以下。以及光电转换装置(100),其特征在于,上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下,由上述第二透明电极层(6)及上述背面电极层(4)所反射的光的反射率在波长600nm以上且1000nm以下的区域为91%以上。
  • 光电转换装置
  • [发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN200880025511.1无效
  • 鹤我薰典;山口贤刚;吴屋真之;坂井智嗣 - 三菱重工业株式会社
  • 2008-12-05 - 2010-06-23 - H01L31/04
  • 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3),其中,所述p层(41)为以1%以上25%以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者,所述n层(43)为以1%以上20%以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者,在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层,该界面层为以1%以上30%以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者,在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层,该界面层为以1%以上20%以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。
  • 光电转换装置及其制造方法

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