[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 200810174121.2 | 申请日: | 2008-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN101494221A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 山里启介 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/60;H01L23/62;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张敬强 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明涉及半导体装置。其目的是提供一种能充分地发挥静电保护元件的箝位能力,能保护内部电路免受由静电引起的电涌的破坏的半导体装置。本发明的半导体装置在半导体衬底上设置有:内部电路;利用连接配线及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区;以及连接在上述连接区和上述接地区之间的静电保护元件;上述半导体衬底和上述接地配线通过以规定的密度形成于上述接地配线上的接点进行电连接,其特征是,上述规定的密度设定为从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,在半导体衬底上设置有:内部电路;利用连接配线及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区;以及连接在上述连接区和上述接地区之间的静电保护元件,上述半导体衬底和上述接地配线通过以规定的密度形成于上述接地配线上的接点进行电连接,其特征在于,上述规定的密度设定为,从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





