[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在半导体衬底上设置有：内部电路；利用连接配线 及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区；以及连接在上述连接区和 上述接地区之间的静电保护元件，上述半导体衬底和上述接地配线通过形成于 上述接地配线上的接点进行电连接，其特征在于，

从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从 上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗；

上述接地配线的形成于连接上述静电保护元件和上述接地区的部分的上 述接点的密度低于上述接地配线的形成于连接上述内部电路和上述接地区的 部分的上述接点的密度，上述接点的部分做成膜厚薄、并形成了孔的构造。

2.一种半导体装置，在半导体衬底上设置有：内部电路；利用连接配线 及第一接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区；以及连接在上述连接 区和上述接地区之间的静电保护元件，上述半导体衬底和上述第一接地配线通 过形成于上述第一接地配线上的接点电连接，进而在上述第一接地配线上经由 绝缘层形成第二接地配线，上述第一接地配线和上述第二接地配线通过形成于 上述第二接地配线上的通孔电连接，其特征在于，

从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从 上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗；

上述第一接地配线的形成于连接上述静电保护元件和上述接地区的部分 上的上述接点的密度低于上述第一接地配线的形成于连接上述内部电路和上 述接地区的部分上的上述接点的密度，上述接点的部分做成膜厚薄、并形成了 孔的构造。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二接地配线的形成于与连接上述第一接地配线的上述静电保护元 件和上述接地区的部分相对应的位置上的上述通孔的密度高于形成在其它部 分上的上述通孔的密度。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

上述接点和上述通孔俯视为沿着上述第一接地配线以及上述第二接地配 线的长度方向交替配置。