[发明专利]半导体装置的制造方法以及存储介质

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法以及存储介质，能够每次在对基板上形成的有机膜进行蚀刻时得到良好的蚀刻形状。该半导体装置的制造方法包括：利用等离子体对含硅膜进行蚀刻，转印该含硅膜上的图案掩模的图案的工序；除去所述图案掩模使所述含硅膜的表面露出的工序；利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜的表面进行蚀刻，由此形成凹部的工序；之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁上形成由含硅物构成的保护膜的工序；和利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿更深方向对凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽的工序，通过这样，因为能够从氧活性种保护凹部侧壁的同时进行蚀刻，所以能够得到良好的图案形状。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，利用等离子体对从下方开始以有机膜、含硅膜和图案掩模的顺序层叠有该有机膜、含硅膜和图案掩模的基板进行蚀刻而在所述有机膜上形成孔或者槽，该制造方法的特征在于，包括下述工序：利用等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，将所述图案掩模的图案转印到该含硅膜上的工序；接着利用等离子体除去所述图案掩模，使所述含硅膜的表面露出的工序；利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜的表面进行蚀刻，由此形成深度比该有机膜的厚度小的凹部的工序；之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁面形成由含硅物构成的保护膜的工序；和利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿着更深的方向对形成有所述保护膜的有机膜的凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽的工序。