[发明专利]半导体装置的制造方法以及存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，利用等离子体对从下方开始以有 机膜、含硅膜和图案掩模的顺序层叠有该有机膜、含硅膜和图案掩模 的基板进行蚀刻而在所述有机膜上形成孔或者槽，该制造方法的特征 在于，包括下述工序：

利用等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，将所述图案掩模的图案转 印到该含硅膜上的工序；

接着利用等离子体除去所述图案掩模，使所述含硅膜的表面露出 的工序；

利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜 的表面进行蚀刻，由此形成深度比该有机膜的厚度小的凹部的工序；

之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁面形成由含硅物构成 的保护膜的工序；和

利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿着更深的方 向对形成有所述保护膜的有机膜的凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽 的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述图案掩模由光致抗蚀剂膜构成。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

向含硅膜转印图案掩模的图案的工序为，通过过蚀刻含硅膜对有 机膜的表面进行蚀刻，形成所述凹部并且只蚀刻除去图案掩模的一部 分。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

除去图案掩模的工序为，使含有溅射含硅膜用的溅射用气体的气 体等离子体化，利用该等离子体化的等离子体来进行。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

沿深度方向蚀刻凹部形成孔或者槽的工序为，使含有溅射含硅膜 用的溅射用气体的气体等离子体化，利用该等离子体化的等离子体来 进行。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述溅射用气体含有由Ar、Xe或者He构成的气体。

7.一种半导体装置的制造方法，利用等离子体对从下方开始以有 机膜、含硅膜和图案掩模的顺序层叠有该有机膜、含硅膜和图案掩模 的基板进行蚀刻而在所述有机膜上形成孔或者槽，该制造方法的特征 在于，包括下述工序：

在设置于基板上的有机膜上形成厚度为该有机膜厚度的1/5以上 的含硅膜的工序；

在含硅膜上形成用于蚀刻含硅膜的图案掩模的工序；

利用等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，将所述图案掩模的图案转 印到该含硅膜上的工序；

接着利用等离子体除去所述图案掩模，使所述含硅膜的表面露出 的工序；

利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜 的表面进行蚀刻，由此形成深度比该有机膜的厚度小的凹部的工序；

之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁面形成由含硅物构成 的保护膜的工序；和

利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿着更深的方 向对形成有所述保护膜的有机膜的凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽 的工序。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述图案掩模由光致抗蚀剂膜构成。

9.如权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在形成所述凹部之后，以形成所述保护膜的工序和沿着深度方向 蚀刻凹部的工序的顺序，通过反复进行该形成所述保护膜的工序和沿 着深度方向蚀刻凹部的工序而形成孔或者槽。