[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200810131142.6 申请日: 2002-03-21
公开(公告)号: CN101335195A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/268;H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体晶片具有:倾斜轮廓,沿着半导体晶片的周边形成;形成在该晶片上的产品;和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
搜索关键词: 具有 id 标记 半导体 晶片 从中 生产 半导体器件 方法 设备
【主权项】:
1.生产半导体器件的方法,包括:沿着半导体晶片的周边形成倾斜轮廓;在所述晶片上形成产品;在所述倾斜轮廓上形成第一ID标记,所述第一ID标记包含数据,该数据包含所述产品的属性、生产条件和检测结果;读取所述第一ID标记;以及根据从所述第一ID标记读取的数据,在所述晶片上形成其它产品。
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