[发明专利]防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200810114957.3 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101604670A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 方绍明;刘鹏飞;曾爱平;陈勇;陈洪宁;王新强 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张颖玲;王黎延 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层、及金属层，其中沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触。本发明还公开了这种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法以及另一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 芯片 压焊时 金属 脱落 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，所述栅极焊点结构从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；其中，沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触。
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