[发明专利]防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法

权利要求书

1.一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，所述栅极焊点结构从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；其中，沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触；其中，所述栅极介质层位于栅极焊点位置处。

2.根据权利要求1所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，所述栅极介质层通过接触孔全部或部分地露出。

3.一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

A1)在衬底上生长有栅极氧化层，并在栅极氧化层之上沉积栅极介质层；

A2)在所述栅极介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，显影后在栅极焊点处留下呈间隔分布的光刻胶，并露出被显影去除的光刻胶处的栅极介质层；

A3)刻蚀掉所述露出的栅极介质层后去除光刻胶，在栅极焊点处露出未刻蚀的呈间隔分布的栅极介质层；

A4)在呈间隔分布的栅极介质层以及未被栅极介质层覆盖的栅极氧化层上沉积接触孔介质层；

A5)在所述接触孔介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，露出光刻胶下方的接触孔介质层；

A6)刻蚀所述露出的接触孔介质层形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介质层，然后去除光刻胶；

A7)在所述接触孔介质层以及所述露出的栅极介质层上沉积金属层。

4.根据权利要求3所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在于，所述步骤A3)中，所述未刻蚀的呈间隔分布的栅极介质 层呈网状分布。

5.根据权利要求3或4所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质层。

6.一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，该栅极焊点结构从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；所述衬底上形成有一个以上的沟槽，沟槽内沉积有栅极介质层，且栅极介质层和沟槽由所述栅极氧化层隔开；所述接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；所述金属层沉积在所述接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触；其中，所述栅极介质层位于栅极焊点位置处。

7.根据权利要求6所述的防止芯片压焊时金属层脱落的焊点结构，其特征在于，栅极介质层通过接触孔全部或部分地露出。

8.一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

B1)将栅极焊点处的衬底刻蚀出一个以上的沟槽；

B2)在所述衬底表面、沟槽的侧壁和表面上生长栅极氧化层；

B3)在所述沟槽内沉积栅极介质层，并对栅极介质层回刻蚀；

B4)在栅极氧化层以及回刻蚀后的栅极介质层上沉积接触孔介质层；

B5)在所述接触孔介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，露出光刻胶下方的接触孔介质层；

B6)刻蚀所述露出的接触孔介质层形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介质层，然后去除光刻胶；

B7)在所述接触孔介质层以及所述露出的栅极介质层上沉积金属层。

9.根据权利要求8所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质层。