[发明专利]粘贴有Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层的衬底和半导体器件无效
| 申请号： | 200810108445.6 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315967A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 八乡昭广 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了粘贴有III－V族氮化物半导体层的衬底，由其可生产性能提高的半导体器件，和包含所述粘贴有III－V族氮化物半导体层的衬底的半导体器件。在所述粘贴有III－V族氮化物半导体层的衬底中，III－V族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴到一起，其特征在于所述III－V族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差为4.5×10－6K－1或更小，且所述基础衬底的导热系数为50W·m－1·K－1或更大。 | ||
| 搜索关键词： | 粘贴 氮化物 半导体 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种粘贴有III-V族氮化物半导体层的衬底，其中III-V族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴在一起，其特征在于：所述III-V族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差为4.5×10-6K-1或更小，且所述基础衬底的导热系数为50W·m-1·K-1或更大。
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