[发明专利]粘贴有Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层的衬底和半导体器件

权利要求书

1.一种粘贴有III-V族氮化物半导体层的衬底，其中III-V族氮化 物半导体层和基础衬底被粘贴在一起，其特征在于：

所述III-V族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差 为4.5×10^-6K^-1或更小，且

所述基础衬底的导热系数为50W·m^-1·K^-1或更大。

2.如权利要求1中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的衬底， 其中所述III-V族氮化物半导体层是GaN层。

3.如权利要求1或2中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的 衬底，其中所述基础衬底的电阻率为10Ω·cm或更小。

4.如权利要求1或2中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的 衬底，其中所述基础衬底的主要组分是包括Mo、W或Ir中至少任一 种的金属。

5.如权利要求1或2中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的 衬底，其中所述基础衬底的主要组分是AlN、Si或SiC中的至少任一 种。

6.如权利要求1或2中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的 衬底，其中所述基础衬底的导热系数等于或高于所述III-V族氮化物半 导体层的导热系数。

7.如权利要求6中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的衬底， 其中所述基础衬底包括选自Cu-Mo合金、Cu-W合金、Al-SiC复合材 料、金刚石和金刚石-金属复合材料的一种材料。

8.如权利要求1或2中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的 衬底，其中多个层被层压在所述基础衬底内。

9.一种半导体器件，其具有在如权利要求1或2中所述的粘贴有 III-V族氮化物半导体层的衬底上形成的至少单层III-V族氮化物半导 体外延层。