[发明专利]在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法无效
| 申请号： | 200810103229.2 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101552199A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，包括：A.在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；B.蒸发集电极金属；C.剥离集电极金属；D.进行接线柱图形的光刻；E.蒸发接线柱金属；F.剥离接线柱金属。利用本发明，由于将基极、集电极接线柱的工艺通过一次工艺完成，节省了大量的人力和物力，所以简化了制作工艺，降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | hbt 工艺 同时 制作 基极 集电极 接线柱 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在异质结双极性晶体管HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，该方法包括：A、在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；B、蒸发集电极金属；C、剥离集电极金属；D、进行接线柱图形的光刻；E、蒸发接线柱金属；F、剥离接线柱金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
