[发明专利]在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法

权利要求书

1、一种在异质结双极性晶体管HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，该方法包括：

A、在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；

B、蒸发集电极金属；

C、剥离集电极金属；

D、进行接线柱图形的光刻；

E、蒸发接线柱金属；

F、剥离接线柱金属。

2、根据权利要求1所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，

步骤A中所述在基片上旋涂的光刻胶是正胶、反转胶或者负胶，该光刻胶的厚度为1至4微米；

步骤A中所述对涂敷有光刻胶的基片进行光刻显影，是在G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机下曝光，然后将曝光后的基片放在显影液中显影，并将显影后的基片在去离子水中冲洗干净，用氮气吹干。

3、根据权利要求1所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，步骤B中所述蒸发集电极金属采用电子束蒸发、溅射或电镀进行，所述集电极金属为能与集电极接触层形成欧姆接触的包括Au的多层合金，该集电极金属的厚度为集电极的厚度、基极厚度和基极金属厚度三者之和。

4、根据权利要求1所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，步骤C中所述剥离集电极金属采用在有机溶剂中浸泡的方式进行，该有机溶剂包括能溶解光刻胶的丙酮或S1165剥离液。

5、根据权利要求4所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，步骤C中所述剥离集电极金属可进一步采用加速剥离方式，该加速剥离方式采取加热或有机溶剂喷淋方法。

6、根据权利要求1所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，所述步骤D包括：

在基片上旋涂光刻胶，将涂敷有光刻胶的基片在G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机下曝光，将曝光后的基片放在显影液中显影，将显影后的基片在去离子水中冲洗干净，用氮气吹干。

7、根据权利要求6所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，所述旋涂的光刻胶为正胶、反转胶或负胶，光刻胶的厚度为1至4微米。

8、根据权利要求1所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，

步骤E中所述蒸发接线柱金属采用电子束蒸发、溅射或电镀进行，所述接线柱金属为Au及其合金，接线柱金属的厚度为发射极金属与发射极材料厚度之和减去基极金属的厚度所得到的差值。

9、根据权利要求1所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，步骤F中所述剥离接线柱金属采用在有机溶剂中浸泡的方式进行，该有机溶剂包括能溶解光刻胶的丙酮或S1165剥离液。

10、根据权利要求9所述的在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，步骤F中所述剥离接线柱金属可进一步采用加速剥离方式，该加速剥离方式采取加热或有机溶剂喷淋方法。