[发明专利]在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法

说明书

技术领域

本发明涉及异质结双极性晶体管(Heterojunction BipolarTransistor，HBT)器件及集成电路制造工艺技术领域中，小尺寸电极的相互联结问题，尤其涉及一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法。

背景技术

随着HBT技术的发展，HBT发射极的尺寸越来越小，整套工艺必须采用平坦化技术。即利用介质将基极、集电极的金属埋在下面，而将接触部分露出在介质上面。而在HBT中，发射极的金属较高，而基极和集电极金属的位置要比发射极金属低1微米左右。为进行发射极、基极、集电极的电极引出，采用在基极和集电极上作接线柱的方法。

目前常用的制作接线柱的方法需要分别制作基极和集电极的接线柱。该方法的主要步骤是：

1)在基片上制作完基极金属接触的HBT上，旋涂光刻胶，曝光、显影制作基极接线柱图形；

2)蒸发基极接线柱金属；

3)进行基极接线柱金属的剥离；

4)腐蚀基极、集电极；

5)在集电极接触层旋涂光刻胶，曝光、显影制作集电极金属图形；

6)蒸发集电极金属；

7)进行集电极金属的剥离；

8)旋涂光刻胶，曝光、显影制作集电极接线柱图形；

9)蒸发集电极接线柱金属；

10)进行集电极接线柱金属的剥离，从而完成接线柱的制作。

该方法制作基极、集电极接线柱需分别进行。由于接线柱通常高度要达到1微米左右，这将消耗很多金属；而且需要进行两次工艺。浪费了大量的人力、物力。如能改善工艺，将基极、集电极接线柱的工艺通过一次工艺完成，将节省大量的人力，物力。

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，以简化制作工艺，降低制作成本。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，该方法包括：

A、在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；

B、蒸发集电极金属；

C、剥离集电极金属；

D、进行接线柱图形的光刻；

E、蒸发接线柱金属；

F、剥离接线柱金属。

优选地，步骤A中所述在基片上旋涂的光刻胶是正胶、反转胶或者负胶，该光刻胶的厚度为1至4微米；

步骤A中所述对涂敷有光刻胶的基片进行光刻显影，是在G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机下曝光，然后将曝光后的基片放在显影液中显影，并将显影后的基片在去离子水中冲洗干净，用氮气吹干。

优选地，步骤B中所述蒸发集电极金属采用电子束蒸发、溅射或电镀进行，所述集电极金属为能与集电极接触层形成欧姆接触的包括Au的多层合金，该集电极金属的厚度为集电极的厚度、基极厚度和基极金属厚度三者之和。

优选地，步骤C中所述剥离集电极金属采用在有机溶剂中浸泡的方式进行，该有机溶剂包括能溶解光刻胶的丙酮或S1165剥离液。

优选地，步骤C中所述剥离集电极金属可进一步采用加速剥离方式，该加速剥离方式采取加热或有机溶剂喷淋方法。

优选地，所述步骤D包括：在基片上旋涂光刻胶，将涂敷有光刻胶的基片在G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机下曝光，将曝光后的基片放在显影液中显影，将显影后的基片在去离子水中冲洗干净，用氮气吹干。

优选地，所述旋涂的光刻胶为正胶、反转胶或负胶，光刻胶的厚度为1至4微米。

优选地，步骤E中所述蒸发接线柱金属采用电子束蒸发、溅射或电镀进行，所述接线柱金属为Au及其合金，接线柱金属的厚度为发射极金属与发射极材料厚度之和减去基极金属的厚度所得到的差值。

优选地，步骤F中所述剥离接线柱金属采用在有机溶剂中浸泡的方式进行，该有机溶剂包括能溶解光刻胶的丙酮或S1165剥离液。

优选地，步骤F中所述剥离接线柱金属可进一步采用加速剥离方式，该加速剥离方式采取加热或有机溶剂喷淋方法。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：

1、本发明制作基极和集电极的接线柱过程中，两个接线柱的制作同时进行，这样制作接线柱的工艺过程减少了一半。