[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810095162.2 | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101262012A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光;小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。在阱(5)中，形成用于在栅极宽度方向在阱(5)中设置凹凸的沟槽部(10)，隔着绝缘膜(7)在沟槽部(10)的内部和上表面部形成栅电极(2)。在栅电极(2)的栅极长度方向的一侧形成源极区域(3)，在另一侧形成漏极区域(4)。源极区域(3)和漏极区域(4)都被形成到栅电极(2)底部附近(沟槽部(10)的底部附近)的深度。这样，将源极区域(3)和漏极区域(4)形成得较深，由此，能够使集中地在栅电极(2)部位处的较浅部分流动的电流一样地在沟槽部(10)整体流动，利用形成在阱(5)中的凹凸使有效的栅极宽度变宽。因此，半导体装置(1)的导通电阻降低，驱动能力提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成在上述半导体衬底上，并且形成有深度在栅极宽度方向上变化的凹部；栅电极，隔着绝缘膜形成在上述凹部的上表面以及内部；第二导电类型的源极区域，在上述栅电极的一侧，从上述半导体衬底的表面形成至上述栅电极的底部附近；第二导电类型的漏极区域，在上述栅电极的另一侧，从上述半导体衬底的表面形成至上述栅电极的底部附近。
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