[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底；

第一导电类型的阱，形成在上述半导体衬底上，并且形成有深度在栅极宽度方向上变化的凹部；

栅电极，隔着绝缘膜形成在上述凹部的上表面以及内部；

第二导电类型的源极区域，在上述栅电极的一侧，从上述半导体衬底的表面形成至上述栅电极的底部附近；

第二导电类型的漏极区域，在上述栅电极的另一侧，从上述半导体衬底的表面形成至上述栅电极的底部附近。

2.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

上述源极区域和上述漏极区域的底部形成在与上述栅电极的底部相同或比该底部深的位置。

3.根据权利要求2的半导体装置，其特征在于，

上述源极区域和上述漏极区域的上述底部侧的区域由第二导电类型的阱形成。

4.根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，

在上述漏极区域的与上述栅电极邻接的区域，将杂质浓度设定得较低。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，由如下步骤构成：

阱形成步骤，在半导体衬底上形成第一导电类型的阱；

凹部形成步骤，在上述所形成的阱中，形成深度在栅极宽度方向上变化的凹部；

栅电极形成步骤，在上述凹部的上表面以及内部形成绝缘膜后，隔着该绝缘膜在上述凹部的上表面以及内部形成栅电极；

源极漏极形成步骤，在上述所形成的栅电极的两侧注入离子，将源极区域和漏极区域形成至上述栅电极的底部附近。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，由如下步骤构成：

阱形成步骤，在半导体衬底上形成第一导电类型的阱；

第二阱形成步骤，在上述第一导电类型的阱上形成两个第二导电类型的阱；

凹部形成步骤，在上述两个第二导电类型的阱之间，形成深度在栅极宽度方向上变化的凹部；

栅电极形成步骤，在上述凹部的上表面以及内部形成绝缘膜之后，隔着该绝缘膜在上述凹部的上表面以及内部形成栅电极；

源极漏极形成步骤，在上述两个第二导电类型的阱中注入离子，形成源极区域和漏极区域。

7.根据权利要求6的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第二阱形成步骤中，在单一的第二导电类型的阱的一部分注入离子，转换为第一导电类型，由此，将上述单一的第二导电类型的阱隔离而形成。