[发明专利]混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810088198.8 申请日: 2008-02-13
公开(公告)号: CN101320726A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 青木由隆 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L27/04;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/56;H01L21/822
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法。根据本发明,因为由在树脂中混入了磁性体粉末的材料形成密封膜,所以借助于密封膜中的磁性体粉末,能够抑制从半导体基板上表面侧的集成电路到外部、或者与其相反地从外部到半导体基板上表面侧的集成电路的干扰电磁辐射噪音。另外,通过在包括螺旋形状薄膜电感元件的被称为CSP的半导体装置中,在半导体基板和薄膜电感元件之间设置由在树脂中混入了磁性体粉末的材料所形成的磁性膜,能够降低由半导体基板中产生的涡流所引起的薄膜电感元件的涡流损耗。
搜索关键词: 混入 磁性 粉末 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有多个连接垫块的半导体基板;在所述半导体基板上设置的集成电路;在除了所述多个连接垫块以外的所述半导体基板上设置的绝缘膜;设置为经由连接垫块与所述集成电路电连接的多个布线;在所述布线的连接垫块部上设置的突起电极;覆盖所述集成电路的上表面,并且在所述突起电极的周围设置的密封膜;其特征在于:所述绝缘膜或者所述密封膜中的至少一个包含树脂和混入到所述树脂中的磁性体粉末。
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