[发明专利]非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200810081774.6 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101266979A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 细野浩司;吉原正浩;中村大;甲斐洋一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明一方面的非易失性半导体存储器包括：存储单元阵列(12A和12B)，包括多个单元元件；电源衬垫(19)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的第一方向的一端上；以及页缓冲器(13A－u和13B－u)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的所述第一方向上。所述非易失性半导体存储器还包括：多条位线(BL(M1))，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)上且沿所述第一方向延伸；以及第一电源线(Vss(M2))，设置在所述存储单元阵列上的所述多条位线(BL(M1))上，以连接所述电源衬垫(19)和所述页缓冲器(13A－u和13B－u)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于包括：存储单元阵列，包括多个单元元件；电源衬垫，设置在所述存储单元阵列的第一方向的一端上；第一页缓冲器，设置在所述存储单元阵列的所述第一方向的另一端上；多条位线，设置在所述存储单元阵列上且沿所述第一方向延伸；以及第一电源线，设置在所述存储单元阵列上的所述多条位线上，以连接所述电源衬垫和所述第一页缓冲器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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