[发明专利]CMOS半导体装置及其制造方法

摘要

示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。

主权项

1、一种包括nMOS区域和pMOS区域的CMOS半导体装置，所述CMOS半导体装置包括：栅极，在所述nMOS区域和pMOS区域中，包括多晶硅覆盖层和形成在所述多晶硅覆盖层之下的金属氮化物层；栅极绝缘层，在所述栅极中的至少一个栅极之下，其中，所述nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层由相同类型的材料形成，并根据掺杂物密度之间的差异而具有不同的逸出功。