[发明专利]掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810039798.5 申请日: 2008-06-30
公开(公告)号: CN101387010A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 徐军;苏良碧;郑丽和 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34;C30B15/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法,化学式为:Nd2xSc2(1-x)SiO5,其中0<x≤0.06。本发明按化学式称取纯度高于99.99%的Nd2O3、Sc2O3、SiO2原料;将原料混合均匀,压成料块在高于1200℃的温度下烧结24小时以上;将烧好的料块装进坩埚,加热直至使其完全熔化;采用硅酸钪晶体作籽晶进行提拉法生长得到。本发明晶体属C2/c空间群,密度为3.5g/cm3。光谱计算表明在808nm处有强的吸收峰,吸收系数为1.28cm-1,半峰宽为7nm,吸收截面为7.48×10-21cm2,适合于激光二极管(LD)泵浦。另外,在波长1060nm有强的荧光发射,发射截面为5.88×10-19cm2,半峰宽4nm;波长1080nm处的发射截面为8.32×10-19cm2。本发明热力学性能良好,用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学等诸多领域中。
搜索关键词: 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种掺钕硅酸钪激光晶体,特征在于其化学式为Nd2xSc2(1-x)SiO5,其中x为Nd3+的掺杂浓度,0
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