[发明专利]封装的凸点下金属层结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810002974.8 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101241889A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | S·房;W·K·杨;C·L·蔡 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司;高级芯片工程技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于半导体集成电路裸片的封装，包括和裸片的焊盘电连接的第一阻挡层上形成的重分配层。第二阻挡层是在所述重分配层上形成。多金属层是在第二阻挡层上形成以连接焊剂球，其中所述多金属层有延长部分，其延伸到第二开孔外在所述第二电介质层顶部上以防止来自所述焊剂球的锡渗透进入所述重分配层。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 凸点下 金属 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于半导体集成电路封装的金属化结构，包括：具有在其上形成的焊盘的半导体集成电路裸片；在所述裸片上的具有在其中形成的第一开孔的第一电介质层；第一金属层，形成在所述第一开孔内和所述焊盘上并延伸在所述第一电介质层上方；在所述第一开孔内和所述第一金属层上方形成的重分配金属层；和在前述重分配金属层上方形成的多金属层，其中所述多金属层包括第一阻挡金属层，和在所述第一阻挡金属层上形成的第二金属层；所述多金属层具有尺寸以支持焊剂球，以防止所述焊剂球中的金属迁移进入所述重分配金属层。
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