[发明专利]封装的凸点下金属层结构及其制造方法

权利要求书

1.用于半导体集成电路封装的金属化结构，包括：

具有在其上形成的焊盘的半导体集成电路裸片；

在所述裸片上的具有在其中形成的第一开孔的第一电介质层；

第一金属层，形成在所述第一开孔内和所述焊盘上并延伸在所述第一电介质层上方；

在所述第一开孔内和所述第一金属层上方形成的重分配金属层；和

在前述重分配金属层上方形成的多金属层，其中所述多金属层包括第一阻挡金属层，和在所述第一阻挡金属层上形成的第二金属层；所述多金属层具有尺寸以支持焊剂球，以防止所述焊剂球中的金属迁移进入所述重分配金属层。

2.权利要求1的结构，进一步包括在所述第一电介质层和所述重分配金属层上方的第二电介质层；所述第二电解质层具有暴露所述重分配金属层的第二开孔，其中所述多金属层沉积在所述第二开孔中并与所述重分配金属层接触，并且其中所述多金属层进一步延伸到所述第二电介质层上方。

3.权利要求1的结构，其中所述第一金属层包括钛、铜和其组合。

4.权利要求1的结构，其中所述重分配金属层包括包含铜的第一金属层和包含金的第二金属层。

5.权利要求2的结构，其中所述第一阻挡金属层在所述第二开孔内和所述重分配金属层上方形成。

6.权利要求5的结构，其中所述第一阻挡金属层包含钛、铜和它们的组合。

7.权利要求1的结构，其中所述第一电介质层是选自稀释剂、填料、光引发剂、BCB、SINR(硅氧烷类聚合物)、环氧树脂、聚酰亚胺或树脂的材料。

8.权利要求2的结构，其中所述第二电介质层是选自稀释剂、填料、光引发剂、BCB、SINR(硅氧烷类聚合物)、环氧树脂、聚酰亚胺或树脂的材料。

9.权利要求2的结构，其中所述焊剂球内的所述金属是包含锡的材料。

10.权利要求1的结构，其中所述多金属层具有延伸到所述第二开孔以外在所述第二电介质层上方的部分。

11.用于为半导体封装创建凸点下金属层的方法，包括步骤：

提供带有具有在其上形成的焊盘的裸片的基板；

在所述基板上形成第一电介质层；

去除所述第一电介质层的一部分以创建第一开孔来暴露所述焊盘；

在所述第一开孔内和所述焊盘上沉积第一金属层，所述第一金属层延伸在所述第一电介质层上方；

在所述第一开孔内和所述第一金属层上方形成重分配金属层；和

在所述重分配金属层上方形成多金属层，其中所述多金属层包括第一阻挡金属层，和在所述第一阻挡金属层上形成的第二金属层；所述多金属层具有尺寸来支持焊剂球以防止所述焊剂球中的金属迁移进入所述重分配金属层。

12.权利要求11的方法，其中所述第一金属层包含钛、铜和它们的组合。

13.权利要求12的方法，其中所述重分配金属层包括包含铜的第一金属层和包含金的第二金属层。

14.权利要求13的方法，进一步包括在形成所述重分配金属层后在所述第一电介质层上形成第二电介质层的步骤。

15.权利要求14的方法，进一步包括在形成所述第二电介质层后去除所述第二电介质层的一部分以创建第二开孔来暴露所述重分配金属层的步骤。

16.权利要求15的方法，进一步包括从所述第二开孔去除所述第二电介质层的一部分后，在所述第二开孔内和所述重分配金属层上方形成第一阻挡金属层的步骤。

17.权利要求16的方法，其中所述第一阻挡金属层包含钛、铜和它们的组合。

18.权利要求11的方法，其中所述第一电介质层是选自稀释剂、填料、光引发剂、BCB、SINR(硅氧烷类聚合物)、环氧树脂、聚酰亚胺或树脂的材料。

19.权利要求14的方法，其中所述第二电介质层是选自稀释剂、填料、光引发剂、BCB、SINR(硅氧烷类聚合物)、环氧树脂、聚酰亚胺或树脂的材料。

20.权利要求15的方法，其中所述多金属层具有延伸到所述第二开孔外在所述第二电介质层上的部分。