[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺无效
| 申请号： | 200810001918.2 | 申请日： | 2003-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101217110A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/01;C23C16/34;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE－GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE－GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.一种生产III族氮化物半导体衬底的工艺，特征在于该工艺包括以下步骤：在基底衬底上形成含有金属元素的膜，在含有金属元素的膜上形成其中包括空腔区的III族氮化物半导体层以直接与其接触，以及用所述空腔区作为剥离点剥离所述基底衬底以将其去掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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