[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺

权利要求书

1.一种生产III族氮化物半导体衬底的工艺，特征在于该工艺包括以下步骤：

在基底衬底上形成含有金属元素的膜，

在含有金属元素的膜上形成其中包括空腔区的III族氮化物半导体层以直接与其接触，以及

用所述空腔区作为剥离点剥离所述基底衬底以将其去掉。

2.根据权利要求1的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述含有金属元素的膜包含对所述III族氮化物半导体具有分解作用的金属元素。

3.根据权利要求2的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为过渡元素。

4.根据权利要求2的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、锰、铜、铂或金。

5.根据权利要求4的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为钛、锆、铪、钽、铂、钴或镍。

6.一种生产III族氮化物半导体衬底的工艺，特征在于该工艺包括以下步骤：

在基底衬底上形成含有金属元素的膜，

在含有金属元素的膜上生长第一III族氮化物半导体层以直接与其接触，

在比第一III族氮化物半导体层的所述生长温度高的温度下，热处理所述含有金属元素的膜和所述第一III族氮化物半导体层，从而在所述第一III族氮化物半导体层中形成空腔区，

在所述第一III族氮化物半导体层上形成第二III族氮化物半导体层，以及

用所述空腔区作为剥离点剥离所述基底衬底以将其去掉。

7.根据权利要求6的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中第一III族氮化物半导体层的所述生长温度在400℃或更高但800℃或更低的范围内。

8.根据权利要求6或7的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中在900℃或更高但1,400℃或更低的温度下进行所述含有金属元素的膜和所述第一III族氮化物半导体层的热处理。

9.根据权利要求6的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述第一III族氮化物半导体层的厚度在20nm或更厚但2,000nm或更薄的范围内。

10.根据权利要求6的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述含有金属元素的膜是金属膜。

11.根据权利要求6的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述含有金属元素的膜包含对III族氮化物半导体具有分解作用的金属元素。

12.根据权利要求11的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为过渡元素。

13.根据权利要求11的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、锰、铜、铂或金。

14.根据权利要求13的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为钛、锆、铪、钽、铂、钴或镍。

15.一种生产III族氮化物半导体衬底的工艺，特征在于该工艺包括以下步骤：

在基底衬底上形成其中具有精细的小孔结构的含有金属元素的膜，

在含有金属元素的膜上形成其中包括空腔区的III族氮化物半导体层以直接与其接触，以及

用所述空腔区作为剥离点剥离所述基底衬底以将其去掉。

16.根据权利要求15的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述含有金属元素的膜包含对III族氮化物半导体具有分解作用的金属元素。

17.根据权利要求16的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为过渡元素。

18.根据权利要求16的生产III族氮化物半导体衬底的工艺，

其中所述金属元素为钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、锰、铜、铂或金。