[实用新型]具有复合绝缘层的半导体封装结构无效

专利信息
申请号: 200720143102.4 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN201038149Y 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 范家铭;洪振智;徐进寿 申请(专利权)人: 敦南科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/36
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 王月玲;武玉琴
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具有复合绝缘层的半导体封装结构,包括一散热导座、一绝缘层、一金属层、一支撑元件及一电子元件。绝缘层设置于散热导座上,金属层设置于绝缘层上,电子元件设置于金属层,支撑元件电性连接地设置于电子元件上,其中散热导座、绝缘层及金属层组成一复合绝缘层结构;此外,散热导座上还设置一封装胶体,其用于将绝缘层、金属层、支撑元件及电子元件一体地封装并且固定在散热导座上。借此,通过散热导座、绝缘层及金属层形成所谓的复合绝缘层结构的设计,以使得本实用新型在达到电性绝缘、散热及导热效果下,同时能减少封装结构的整体体积、结构及厚度,以降低材料及制造过程上的成本耗费。
搜索关键词: 具有 复合 绝缘 半导体 封装 结构
【主权项】:
1.一种具有复合绝缘层的半导体封装结构,其特征在于,包括有:一散热导座;一绝缘层,其设置于该散热导座上;一金属层,其设置于该绝缘层上,该金属层具有一铜及铜合金材料;一电子元件,其设置于该金属层上;以及一支撑元件,其电性连接地设置于该电子元件上;其中该散热导座、绝缘层及金属层形成一复合绝缘层。
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