[发明专利]半导体衬底有效
| 申请号： | 200710162980.5 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101131969A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 内藤宽;藤田晴光 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青;张波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 沿划片线划分半导体衬底以形成多个被密封环围绕的IC区域，其中在划片线中形成钝化开口，在划片线中被二级密封环围绕的监测元件区域内形成监测元件，所述二级密封环由金属层、氧化层和通孔构成。二级密封环形成为围绕监测元件的外围，由此使监测元件能够精确监测集成电路的特性，因为可防止水分和杂质渗入监测元件区域，因此监测元件区域在特性上稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，所述半导体衬底沿划片线被划分以形成被密封环围绕的多个IC区域，其中在所述划片线中形成有钝化开口，在所述划片线中监测元件区域之内形成监测元件，所述监测元件区域被二级密封环围绕，其中由所述二级密封环围绕的区域被钝化膜覆盖，在所述二级密封环之外的区域不被钝化膜覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于雅马哈株式会社，未经雅马哈株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710162980.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
