[发明专利]半导体屏蔽结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710141743.0 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373741A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 黄忠谔;简煌展 | 申请（专利权）人： | 海华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/552;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体屏蔽结构，其包括：一半导体基板；至少一主动区域，其设置于该半导体基板的一侧；一保护层，其中该保护层以半导体制程方法成形于该主动区域外侧；一屏蔽层，其中该屏蔽层以半导体制程方法成形于该保护层外侧；及一包覆层，其结合于该屏蔽层外侧；其中该保护层较该包覆层为硬，故可利用该硬度较高的保护层保护其中的区域，以减少后续高温制程中热量对元件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 屏蔽 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体屏蔽结构，其特征在于，包含：一半导体基板；至少一主动区域，其设置于该半导体基板的一侧；一保护层，其中该保护层以半导体制程方法成形于该主动区域外侧；一屏蔽层，其中该屏蔽层以半导体制程方法成形于该保护层外侧；及一包覆层，其结合于该屏蔽层外侧；其中该保护层较该包覆层为硬。
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