[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710141185.8 | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101170126A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/04;H01L27/02;H01L27/092;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种包括位于半导体衬底表面上的至少一个晶体管的半导体结构，其中该至少一个晶体管具有亚光刻沟道长度。也提供一种使用自组装嵌段共聚物形成这种半导体结构的方法，其中自组装嵌段共聚物可以使用预制硬掩模图案而位于特定位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：位于半导体衬底表面上的至少一个晶体管，所述至少一个晶体管具有小于60nm的栅极长度和3西格马小于6nm的线边缘粗糙度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710141185.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
