[发明专利]半导体装置及其制法无效

专利信息
申请号: 200710136248.0 申请日: 2007-07-12
公开(公告)号: CN101345198A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 赖正渊;黄建屏;柯俊吉;王愉博;颜家宏 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/498
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体装置及其制法,是提供一具有相对第一及第二表面的软质载板,且于该第一表面上形成有金属引线层及第一散热金属层,而该第二表面上形成有一第二散热金属层,另提供具有相对主动面及非主动面的芯片,于该主动面上设有多个焊垫,且各该焊垫上形成有对应该金属引线层的金属凸块,并于该些金属凸块间形成有对应该第一散热金属层的散热凸块,以供芯片接置于该软质载板上时,令该芯片的金属凸块与散热凸块对应电性连接至该软质载板的金属引线层及第一散热金属层,同时供芯片运行时所产生的热量得以通过该散热凸块、第一及第二散热金属层向外逸散。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制法,包括:提供具有相对主动面及非主动面的芯片与具有相对第一表面及第二表面的软质载板,该芯片主动面上设有多个焊垫,且各该焊垫上形成有金属凸块,并于该些金属凸块间形成有散热凸块,该软质载板第一表面形成有相对应该金属凸块的金属引线层及对应该散热凸块的第一散热金属层,并于该第二表面上形成有第二散热金属层;将该芯片的主动面接置于该软质载板的第一表面,且使该芯片主动面上的金属凸块与散热凸块电性连接至对应该金属引线层及第一散热金属层;以及于该芯片与软质载板间隙填充绝缘胶。
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