[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710088556.0 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101060133A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 柳田正道;龟山工次郎;冈田喜久雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体基板的纵向流过大电流的纵型MOS晶体管或IGBT等半导体装置中，为了使接通电阻变小，需要进行薄膜化。在这种情况下，伴随着热处理只能薄膜化到半导体基板不弯曲的范围，接通电阻的减小有限。在本发明中，在半导体基板(1)的背面侧形成沟孔等的开口部(11)。然后，与该开口部(11)的底部电连接而形成漏极(12)。在这种情况下，由于电流路径对应于开口部(11)的深度而变短，故容易实现低的接通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在半导体基板的纵向流过电流，其特征在于，具有：MOS结构，其形成在所述半导体基板的表面侧；开口部，其形成在所述半导体基板的背面侧；背面电极，其与所述开口部的底部电连接。
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