[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，在半导体基板的纵向流过电流，其特征在于，具有：MOS结构，其形成在所述半导体基板的表面侧；开口部，其形成在所述半导体基板的背面侧；背面电极，其与所述开口部的底部电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板是第一导电型，

所述MOS结构具有：第二导电型沟道层，其形成在所述半导体基板的表面侧；多个栅极绝缘膜及栅极；第一导电型源极层，其与所述栅极绝缘膜邻接而形成；源极，其与所述源极层电连接而形成，

所述底部起到漏极区域的功能，所述背面电极是漏极。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板是第一导电型，

所述MOS结构具有：第二导电型基极区域，其形成在在所述半导体基板的表面侧；多个栅极绝缘膜及栅极；第一导电型发射极区域，其与所述栅极绝缘膜邻接而形成；发射极，其与所述发射极区域电连接而形成，

在所述底部形成有第二导电型集电极区域，所述背面电极是集电极。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部的周边具有保持所述半导体基板的机械强度的功能。

5.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极是沟型。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部对应于所述源极层的位置而形成。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部对应于所述发射极区域的位置而形成。

8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部形成在除所述半导体基板外周之外的所有部分上。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部在除所述底部之外的部分覆盖有绝缘膜。

10.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述开口部的周边形成有FWD的电流路径。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的表面形成有用于从所述背面电极导出电流的端子，所述开口部由在所述MOS结构的下部形成的第一开口部和在所述端子的下部形成的第二开口部组成，所述第二开口部形成得比所述第一开口部更深。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二开口部比第一开口部的直径大。

13.如权利要求11或12所述的半导体装置，其特征在于，所述第二开口部开设至所述端子。

14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在第一导电型的半导体基板的表面侧形成MOS结构的工序；

在所述半导体基板的背面侧形成光致抗蚀剂图形的工序；

以所述光致抗蚀剂图形为掩模进行蚀刻而形成开口部的工序；

与所述开口部的底部电连接而形成背面电极的工序。

15.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有将第二导电型杂质注入到所述开口部的底部而形成集电极区域的工序。

16.如权利要求14或15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述背面电极由多晶硅形成。

17.如权利要求14～16中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述开口部形成在除所述半导体基板周边之外的部分上。

18.如权利要求14～17中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述半导体基板的表面形成有用于从所述背面电极导出电流的端子，所述光致抗蚀剂图形与对应于所述MOS结构下部的位置相比，在对应于所述端子下部的位置更大地开口。

19.如权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述开口部开设至所述端子。