[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710084220.7 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101030561A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 宍田佳谦;隣真一;八木良太郎 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;日本电气株式会社;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/532;H01L21/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，能够抑制起因于药液等液体侵入层间绝缘膜中的层间绝缘膜的劣化，并且能够利用规定的气体使层间绝缘膜的劣化回复。该半导体装置，具备形成于衬底上的第1绝缘膜、和形成于第1绝缘膜的表面的至少一部分上的，由难透过液体同时容易透过气体的材料构成的第1气液分离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征是，具备：第1绝缘膜，其形成于衬底上；第1气液分离膜，其形成于所述第1绝缘膜的表面的至少一部分上，由难透过液体同时容易透过气体的材料构成。
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