[发明专利]半导体工件热处理方法和装置有效

专利信息
申请号: 200710046405.9 申请日: 2007-09-26
公开(公告)号: CN101399161A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 马悦;何川;逄振旭;王晖;V·纳其 申请(专利权)人: 盛美半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陆 嘉
地址: 201600上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种装置和方法,用于在两个垂直布置的热处理室内迅速并双面地热处理半导体工件,其中每个室包含一第一热处理源和一第二热处理源,两室之间以一可伸缩门隔开。本发明采用的双面热处理机制提高了热处理的效率和均匀性,并且减少了热应力的不匹配所导致的半导体工件的变形。
搜索关键词: 半导体 工件 热处理 方法 装置
【主权项】:
1. 一种用于半导体工件热处理的装置,其包括:垂直布置的加热室和冷却室;用于在加热室和冷却室之间传送半导体工件的传送装置;用于分隔加热室和冷却室的可伸缩门;其中当一加热过程或一冷却过程开始的时候,所述可伸缩门移入加热室和冷却室之间;并且可伸缩门包含一加热层和一冷却层。
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