[发明专利]功率半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 200710005266.5 | 申请日： | 2007-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101026146A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | R·波普 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张兆东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种压力接触构造的用于设置在一冷构件上的功率半导体模块及其制造方法。多个负载连接元件在这里分别构成为金属成型体，其包括至少一个接触元件、一带形部分和许多由带形部分伸出的接触底脚。相应的带形部分平行于基片表面并与基片表面间隔开设置。各接触底脚从带形部分延伸至基片并电路合理地与其触点接通。各负载连接元件构成一叠并且在这里在各邻接的负载连接元件之间，在相应的带形部分的区域内设置一弹性中间层。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.压力接触构造的功率半导体模块(1)，用于设置在一冷构件(2)上，所述功率半导体模块包括至少一个基片(5)；至少两个在基片上设置的功率半导体构件(60、64)；一壳体(3)；通向外面的多个负载连接元件(40、42、44)和控制连接元件；以及一压力装置，其中基片(5)具有一绝缘材料体(52)并且在其面向功率半导体模块的内部的第一主表面上设置各包括负载电位的印制导线(54)，其中各负载连接元件分别构成为金属成型体，其包括至少一个接触元件(404、424、444)、一带形部分(402、422、442)和许多由带形部分伸出的接触底脚(400、420、440)，带形部分平行于基片表面并与基片表面间隔开设置并且各接触底脚从带状部分延伸至基片(5)并与其电路合理地触点接通，并且负载连接元件(40、42、44)构成一叠(4)并在这里在各邻接的负载连接元件之间在相应的带形部分(402、422、442)的区域内设置一弹性中间层(46)。
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