[发明专利]半导体装置

摘要

本发明是提供一种半导体装置，特别涉及一种具有一堆叠接触结构的半导体装置，其中堆叠接触结构包含填充一第一导电材料于一第一接触孔的一第一接触插塞，以及填充一第二导电材料于一第二接触孔的一第二接触插塞。第二导电材料与第一导电材料为不同的材料，且第二导电材料的电阻小于第一导电材料的电阻。本发明所述的半导体装置，可降低堆叠接触结构的有效接触电阻，改善耦接的电阻电容。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：一栅极结构，位于一半导体基底上；一源/漏极区域，位于该半导体基底之中，横向地邻接于该栅极结构；一第一介电层，位于该栅极结构及该源/漏极区域的上方，其中该第一介电层具有一第一接触孔，其形成于该栅极结构或该源/漏极区域至少其中之一的上方；一第一接触插塞，是由一第一导电材料填充于该第一接触孔之中形成，其中该第一接触插塞电性耦接该栅极结构或该源/漏极区域至少其中之一；一第二介电层，位于该第一介电层及该第一接触插塞的上方，其中该第二介电层具有一第二接触孔，用以暴露该第一接触插塞；以及一第二接触插塞，是由一第二导电材料填充于该第二接触孔之中形成，其中该第二接触插塞电性耦接该第一接触插塞；其中该第二导电材料与该第一导电材料为不同的材料，且该第二导电材料的电阻低于该第一导电材料的电阻。