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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、集成电路以及半导体装置的制造方法-CN201710468207.5有效
发明人：王仲盛;黄鼎盛;施教仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管。所述第一晶体管具有第一阈值电压，且所述第一晶体管的沟道区及源极/漏极区为N型。所述第二晶体管具有第二阈值电压，所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型，并且所述第一阈值电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。
半导体装置集成电路以及制造方法

[发明专利]鳍式FET技术的集成热电器件-CN201610010247.0有效
发明人：王仲盛;施教仁;徐晓萱 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向，将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上，可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。
鳍式 fet 技术集成热电器件

[发明专利]半导体组件-CN201610956886.6在审
发明人：王仲盛;张骏伟;施教仁;刘胜峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体组件包括具有衬底主要表面的衬底、位于衬底主要表面上且具有与衬底主要表面相隔一距离的第二主要表面的介电材料、以及自衬底主要表面延伸穿过介电材料的多个鳍，其中多个鳍包括第一鳍子集以及第二鳍子集，与第二鳍子集相比，第一鳍子集位于较靠近多个鳍的中心，且第一鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生热量少于第二鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生的热量。
半导体组件

[发明专利]集成电路及其操作方法-CN201611051605.9在审
发明人： 施教仁;王仲盛;陈世欣;李仁豪;黄鼎盛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种集成电路及其操作方法。所述IC包括受测装置及第一加热器。所述第一加热器定位于所述装置的第一侧处且提供热量来控制所述装置的温度。所述第一加热器包括半导体装置，其具有第一掺杂区域及具有与所述第一掺杂区域的导电类型相反的导电类型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域介接。
集成电路及其操作方法

[发明专利]半导体器件部件及方法-CN201210015273.4有效
发明人：林碧玲;林建宏;谢明宏;陈立德;施教仁;邱垂青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开的是半导体器件部件及方法。在一个实施例中，半导体器件部件包括导电部分，该导电部分具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一端部、以及与第一端部相对的第二端部。第一通孔在第一端部处与导电部分的第二表面相连接。第二通孔在第二端部处与导电部分的第一表面相连接，并且第三通孔在第二端部处与导电部分的第二表面相连接。
半导体器件部件方法

[发明专利]偏置温度不稳定性测试的方法-CN200910205552.5有效
发明人： 施教仁;夏尼锐;王瑞;拉克仕·瑞恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种在器件上执行偏置温度不稳定性测试的方法包括在器件上执行第一应力。第一应力后，执行第一测量来确定器件的第一参数。第一测量后，在器件上执行第二应力，其中第一应力和第二应力之间仅测量第一参数。该方法还包括在第二应力后执行第二测量来确定器件的第二参数。第二参数与第一参数不同。
偏置温度不稳定性测试方法

[发明专利]静电放电保护电路-CN200910007363.7有效
发明人： 施教仁;李建兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一静电放电保护电路包括：一埋藏氧化层；设置于埋藏氧化层上的一半导体层；以及一第一与一第二金属氧化半导体装置。第一金属氧化半导体装置包括设置于半导体层上方的第一栅极；具有一部分设置于第一栅极下方的第一阱区；以及设置于半导体层内第一源极区域与第一漏极区域。第二金属氧化半导体装置包括：设置于半导体层上方的第二栅极；具有一部分设置于上述第二栅极下方的第二阱区。第二阱区耦接至一放电端点，并且第一阱区并不直接连接至放电端点，而是通过第二阱区耦接至放电端点。第二金属氧化半导体装置还包括设置于半导体层内并且邻接第二阱区的第二源极区域与第二漏极区域。本发明可以显著地增加ESD电路的可靠度。
静电放电保护电路

[发明专利]静电放电防护电路及集成电路-CN200710136890.9有效
发明人：游国丰;李建兴;施教仁;杨富智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电防护电路，该静电放电防护电路包括硅控整流器(silicon controlled rectifier；SCR)以及金属氧化物半导体触发元件，该硅控整流器有连接至第一固定电位的阴极以及阳极，该金属氧化物半导体触发元件有栅极、连接至该第一固定电位的源极以及连接至该阳极的漏极，此外，该金属氧化物半导体触发元件实体上不位于该硅控整流器之内。根据本发明的静电放电防护电路，在硅控整流器导通后只有微小电流通过，该金属氧化物半导体触发元件因此可免于静电放电脉冲的破坏，也形成较为耐用的静电放电防护作用。
静电放电防护电路集成电路

[发明专利]半导体装置-CN200710002456.1无效
发明人：崔壬汾;施教仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明是提供一种半导体装置，特别涉及一种具有一堆叠接触结构的半导体装置，其中堆叠接触结构包含填充一第一导电材料于一第一接触孔的一第一接触插塞，以及填充一第二导电材料于一第二接触孔的一第二接触插塞。第二导电材料与第一导电材料为不同的材料，且第二导电材料的电阻小于第一导电材料的电阻。本发明所述的半导体装置，可降低堆叠接触结构的有效接触电阻，改善耦接的电阻电容。
半导体装置

[发明专利]双载流子硅控整流器电路以及其形成方法-CN200510136573.8有效
发明人：游国丰;李建兴;施教仁;杨富智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一N型阱以及一P+材料。N型阱用以提供较高的电阻，而P+材料则作为一集电极，以提供一高电阻。至少一N型防护环以及一P型防护环围绕于双载流子装置，其中，当一静电放电事件发生时，双载流子装置的N型阱以及P+材料所提供的高电阻会提高导通速率。
载流子整流器电路及其形成方法

[发明专利]静电放电防护用半导体结构-CN200510088736.X有效
发明人：游国丰;李建兴;施教仁;杨富智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一静电放电防护用半导体结构，包括一接地栅NMOS，该接地栅NMOS具有一基板、一栅极、一源极以及一漏极。多个接点插头形成于该源极与漏极侧上。多个第一层通孔电性耦接至该GGNMOS并于该源极区和漏极区内具有一大体上互不对称的布局。一个或一组第二层通孔将该ESD电流导引至所需的第一层通孔。该GGNMOS内电流的流动均等性因而获得改善。
静电放电防护半导体结构

[实用新型]静电放电保护电路-CN200420117670.3无效
发明人： 施教仁;李建兴;陈遂泓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种静电放电保护电路，是适用于一通讯领域的高频集成电路中，主要特征是在于本新型可以藉由将一用以滤波的晶体管的漏极或源极一端浮接(Floating)，使其可以藉由内部的寄生双载子接面(bipolarjunction)导通，达到不会造成组件短路及符合工业界测试要求的静电放电保护电路。
静电放电保护电路

[发明专利]静电放电保护电路-CN200410086999.2有效
发明人： 施教仁;李建兴;陈遂泓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明是关于一种静电放电保护电路，是适用于一通讯领域的高频集成电路中，主要特征是在于本发明可以藉由将一用以滤波的晶体管的漏极或源极一端浮接(Floating)，使其可以藉由内部的寄生双载子接面(bipolar junction)导通，达到不会造成组件短路及符合工业界测试要求的静电放电保护电路。
静电放电保护电路

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