[发明专利]半导体纳米晶的单源前体有效

专利信息
申请号: 200680042159.3 申请日: 2006-06-27
公开(公告)号: CN101341228A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: M·科亚库蒂;A·维尔马;S·R·维德拉;N·库马尔;T·R·N·库蒂 申请(专利权)人: 国防研究与发展组织总干事
主分类号: C09K11/54 分类号: C09K11/54;C30B29/68
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李帆
地址: 印度*** 国省代码: 印度;IN
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摘要: 制备半导体纳米晶的单源固体前体基质的方法,包括步骤:a)混合0.1-1摩尔含有主体基质第一组分的水或非水(有机)溶液(1)和0.001-0.01摩尔含有第一掺杂剂离子的水/非水溶液(2),所述第一掺杂剂离子需要原位价态调整,b)溶解10-20毫克无机盐,以便在溶液中原位还原第一掺杂剂离子(3),c)添加0.001-0.01摩尔含有无需改变其价态的掺杂剂离子的无机盐的水/非水溶液(4),d)添加0.1-1摩尔含有主体材料第二组分的无机盐的水/非水溶液(5),e)添加5-10重量%含有pH调整络合剂的含水溶液以获得混合物(6),f)加热在步骤(e)获得的混合物以获得固体层状显微组织的前体化合物(7,8)。
搜索关键词: 半导体 纳米 单源前体
【主权项】:
1.制备半导体纳米晶的单源固体前体基质的方法,包括步骤:a)混合0.1-1摩尔含有主体基质第一组分的水或非水(有机)溶液和0.001-0.01摩尔含有第一掺杂剂离子的水/非水溶液,所述第一掺杂剂离子需要原位价态调整,b)溶解10-20毫克无机盐以便在溶液中原位还原第一掺杂剂离子,c)添加0.001-0.01摩尔含有无需改变其价态的掺杂剂离子的无机盐的水/非水溶液d)添加0.1-1摩尔含有主体材料第二组分的无机盐的水/非水溶液,e)添加5-10重量%含有pH调整络合剂的水溶液以获得混合物,f)加热在步骤(e)获得的混合物以获得固体层状显微组织的前体化合物。
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