[发明专利]半导体芯片和半导体晶片的制造方法

摘要

在具有布置在多个器件形成区中的半导体器件、以及放置在限定了器件形成区的划分区中的TEG的半导体晶片中，将TEG放置部分布置在部分地沿宽度延伸的划分区中，并且将TEG放置在TEG放置部分中。并且，将保护薄片粘到半导体晶片上，然后执行等离子体刻蚀，并且通过对保护薄片进行剥离将保持处于划分区、并且粘到保护薄片上的状态的TEG和保护薄片一起去除，从而将器件形成区划分为单片，并且制造出半导体芯片。

主权项

1.一种用于半导体芯片的制造方法，包括：在由划分区限定的每一个器件形成区中形成半导体器件，并且在TEG放置部分中形成TEG或测试元件组，在半导体晶片的第一表面上，将所述划分区配置为包括其中配置了所述TEG的所述TEG放置部分和其区域宽度比所述TEG放置部分宽度小的区域宽度减小部分；将保护薄片粘到所述半导体晶片的第一表面上，使得所述薄片与所述TEG接触；将掩模放置到作为位于与所述晶片的所述第一表面相对表面的第二表面上，以便限定所述划分区；在已粘贴所述保护薄片并且已放置所述掩模的状态下，在所述晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，从而去除与所述划分区相对应的部分，然后将所述器件形成区划分为单个半导体芯片，每一个半导体芯片均包括个体化的半导体器件；以及通过将所述保护薄片从由所述等离子体刻蚀划分的半导体芯片上剥离，与所述保护薄片一起去除残留在所述TEG放置部分中、并且粘到所述保护薄片上的所述TEG的剩余部分，从而制造所述个体化的半导体芯片。